Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD
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Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N
Transistor de poder del Mosfet

Tipo dual de gran intensidad alto rendimiento del transistor de poder del Mosfet N
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V
Transistor de poder del Mosfet

corriente continua del dren del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de 6.5A 30V
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS
Transistor de poder del Mosfet

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS
Transistor de poder del Mosfet

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N de RoHS SOT-23-6L 6,0 un VDSS
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
Transistor de poder del Mosfet

Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Conductor de alto voltaje original Using Transistor del Mosfet del transistor de poder del Mosfet
Transistor de poder del Mosfet

Conductor de alto voltaje original Using Transistor del Mosfet del transistor de poder del Mosfet
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：Negociación
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salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v
Transistor de poder del silicio

salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad
Transistor de poder del silicio

transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos
Transistor de poder del silicio

Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Uso de alta frecuencia de la protección de la polaridad de Mos Field Effect Transistor 20A 200V
Mos Field Effect Transistor

Uso de alta frecuencia de la protección de la polaridad de Mos Field Effect Transistor 20A 200V
Capacidad de la fuente：3000000PCS/month
MOQ：1500
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Los transistores de poder de la extremidad 3DD13005 cambian eficacia alta del voltaje de base del emisor 9V
Transistores de poder de la extremidad

Los transistores de poder de la extremidad 3DD13005 cambian eficacia alta del voltaje de base del emisor 9V
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
Transistores de poder de la extremidad

Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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el soldar de alta temperatura dual del diodo de transferencia 1.3Volts garantizado
Diodo que cambia dual

el soldar de alta temperatura dual del diodo de transferencia 1.3Volts garantizado
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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RoHS aprobó el diodo que cambiaba dual adelante actual - 3,0 amperios
Diodo que cambia dual

RoHS aprobó el diodo que cambiaba dual adelante actual - 3,0 amperios
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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velocidad de transferencia rápida de transferencia 500mw del diodo Zener dual dual del diodo
Diodo que cambia dual

velocidad de transferencia rápida de transferencia 500mw del diodo Zener dual dual del diodo
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Segundos en doble canal C/10 del Mosfet 250 de la recuperación rápida en los terminales
Mosfet en doble canal

Segundos en doble canal C/10 del Mosfet 250 de la recuperación rápida en los terminales
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Salida reversa baja ultrarrápida del diodo de rectificador de la recuperación de RoHS
Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Salida reversa baja ultrarrápida del diodo de rectificador de la recuperación de RoHS
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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Estándar de gran intensidad planar del diodo Zener 1V VF IE24 del poder del silicio
Diodo Zener del poder

Estándar de gran intensidad planar del diodo Zener 1V VF IE24 del poder del silicio
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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capacidad de oleada de la pérdida de la energía baja del puente rectificador de 70V Schottky alta
Puente rectificador de Schottky

capacidad de oleada de la pérdida de la energía baja del puente rectificador de 70V Schottky alta
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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M1 CON voltaje reverso de alto voltaje del diodo de rectificador M7 - 50 a 1000 voltios
Diodo de rectificador de alto voltaje

M1 CON voltaje reverso de alto voltaje del diodo de rectificador M7 - 50 a 1000 voltios
Capacidad de la fuente：18,000,000PCS/por día
MOQ：PCS 1000-2000
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