Nombre de producto: PD57030-E | ![]() |
Fabricante: STMicroelectronics | Categoría de producto: Transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal del RF (MOSFET del RF) |
Polaridad del transistor: Canal N | Tecnología: Si |
Corriente Identificación-continua del dren: 4 A | voltaje de avería de la Vds-dren-fuente: 65 V |
Frecuencia de funcionamiento: 1 gigahertz | Aumento: DB 14 |
De potencia de salida: 30W | Temperatura de funcionamiento mínima: - 65 C |
Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C | Estilo de la instalación: SMD/SMT |
Paquete/caso: PowerSO-10RF-Formed-4 | Paquete: Tubo |
Marca: STMicroelectronics | Modo del canal: Aumento |
Configuración: Solo | Altura: 3,5 milímetros |
Longitud: 7,5 milímetros | Sensibilidad de humedad: Sí |
Disipación del Paladio-poder: 52,8 W | Tipo de producto: Transistores del MOSFET del RF |
Serie: PD57030-E | Cantidad que embala de la fábrica: 400 |
Subcategoría: MOSFETs | Tipo: MOSFET del poder del RF |
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: 20 V | Peso de unidad: 3 g |