Especificaciones
Number modelo :
PD57030-E
MOQ :
1000
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
5k-10k por día
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
Paquete: SMD
Tipo :
circuito integrado
Paquete :
SMD
Garantía de la calidad :
30-90days
D/C :
Nuevo
Color :
Negro
Descripción
Nombre de producto: PD57030-E Negro de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57030-E RF (MOSFET del RF)
Fabricante: STMicroelectronics Categoría de producto: Transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal del RF (MOSFET del RF)
Polaridad del transistor: Canal N Tecnología: Si
Corriente Identificación-continua del dren: 4 A voltaje de avería de la Vds-dren-fuente: 65 V
Frecuencia de funcionamiento: 1 gigahertz Aumento: DB 14
De potencia de salida: 30W Temperatura de funcionamiento mínima: - 65 C
Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C Estilo de la instalación: SMD/SMT
Paquete/caso: PowerSO-10RF-Formed-4 Paquete: Tubo
Marca: STMicroelectronics Modo del canal: Aumento
Configuración: Solo Altura: 3,5 milímetros
Longitud: 7,5 milímetros Sensibilidad de humedad: Sí
Disipación del Paladio-poder: 52,8 W Tipo de producto: Transistores del MOSFET del RF
Serie: PD57030-E Cantidad que embala de la fábrica: 400
Subcategoría: MOSFETs Tipo: MOSFET del poder del RF
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: 20 V Peso de unidad: 3 g

 

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Negro de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57030-E RF (MOSFET del RF)

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PD57030-E
MOQ :
1000
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
5k-10k por día
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
Paquete: SMD
Proveedor de contacto
Negro de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57030-E RF (MOSFET del RF)
Negro de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57030-E RF (MOSFET del RF)

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