Especificaciones
Number modelo :
grado de la investigación 2inch
Lugar del origen :
China
MOQ :
2pcs
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :
50pcs por mes
Plazo de expedición :
1-5weeks
Detalles de empaquetado :
sola caja de la oblea por el envasado al vacío
El material :
Solo cristal de GaN
El tamaño :
2 pulgadas
El grosor :
0.35 ~ 0.5 mm
Tipo de producto :
Tipo Si/no dopado, Fe-dopado,
Aplicación :
Display de proyección láser, dispositivo de alimentación
Crecimiento :
HVPE
Superficie :
ssp o dsp
orientación :
0001
Paquete :
solo envase de la oblea
Descripción

 

2 pulgadas modelo de sustratos de GaN,Wafer de GaN para LeD, Wafer de Nitruro de Galo semiconductor para ld, GaN modelo, mocvd Wafer de GaN,Substratos de GaN independientes por tamaño personalizado,Wafer GaN de pequeño tamaño para LED, mocvd oblea de nitruro de galio 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm oblea de GaN, sustratos de GaN independientes no polares ((un plano y un plano m)

 

Características de las obleas de GaN

  1. El contenido de nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno

El nitruro de galio es un tipo de semiconductores compuestos de amplio hueco.

un sustrato de cristal único de alta calidad, fabricado con el método HVPE original y la tecnología de procesamiento de obleas, que se ha desarrollado originalmente durante más de 10 años en China.Las características son muy cristalinas.Los sustratos de GaN se utilizan para muchos tipos de aplicaciones, para LED blanco y LD ((violeta, azul y verde).El desarrollo ha progresado para aplicaciones de dispositivos electrónicos de potencia y alta frecuencia.

 

El ancho de banda prohibido (emisión y absorción de luz) cubre la luz ultravioleta, visible e infrarroja.

 

Aplicaciones

El GaN se puede utilizar en muchas áreas como pantalla LED, detección e imagen de alta energía,
Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.

 

  • Dispositivos de microondas de alta frecuencia Detección e imaginación de alta energía
  • Nuevas energías solar o tecnología del hidrógeno Medio ambiente Detección y medicina biológica
  • Banda de terahercios de la fuente de luz
  • Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc. Almacenamiento de datos
  • Iluminación de bajo consumo de energía
  • Proyecciones láser Dispositivos electrónicos de alta eficiencia

 

Especificación de los sustratos GaN de 2 pulgadas de pie libre

Wafer GaN de 4 pulgadas de grado de investigación de 0,4 mm para semiconductores

Nuestra visión de la empresa Factroy
Proporcionaremos un sustrato GaN de alta calidad y tecnología de aplicación para la industria con nuestra fábrica.
El material GaN de alta calidad es el factor de restricción para la aplicación de nitritos III, por ejemplo, una larga vida útil.
y LD de alta estabilidad, dispositivos de microondas de alta potencia y alta fiabilidad,
y LED de alta eficiencia y ahorro de energía.
Detalles de la entrega

Wafer GaN de 4 pulgadas de grado de investigación de 0,4 mm para semiconductores

Wafer GaN de 4 pulgadas de grado de investigación de 0,4 mm para semiconductores
-Preguntas frecuentes
P: ¿Qué puede suministrar logística y costo?
(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF y otros.
(2) Si usted tiene su propio número expreso, es genial.
Si no, podríamos ayudarle a entregar.

P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
(1) Para los productos estándar, como las obleas de 2 pulgadas de 0,35 mm.
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles desde el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 4 semanas laborales después del pedido.

P: ¿Cómo se paga?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.

P: ¿Cuál es el MOQ?
(1) Para el inventario, el MOQ es 1pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 5pcs-10pcs.
Depende de la cantidad y de la técnica.

P: ¿Tiene un informe de inspección del material?
Podemos suministrar el informe ROHS y llegar a informes para nuestros productos.

 

 
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Capacidad de la fuente :
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1-5weeks
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Wafer GaN de 4 pulgadas de grado de investigación de 0,4 mm para semiconductores
Wafer GaN de 4 pulgadas de grado de investigación de 0,4 mm para semiconductores
Wafer GaN de 4 pulgadas de grado de investigación de 0,4 mm para semiconductores

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shanghai, shanghai
Desde 2013
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Total anual :
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Nivel de certificación :
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