Especificaciones
Number modelo :
8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-en-hora Si Epiwafer
Lugar del origen :
CHINA
MOQ :
1pcs
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de la fuente :
50PCS por mes
Plazo de expedición :
1-5weeks
Detalles de empaquetado :
sola caja de la oblea por el envasado al vacío
El material :
Capa de GaN en el sustrato sI
Tamaño :
8 pulgadas / 6 pulgadas
espesor de GaN :
2-5UM
El tipo :
N-TYPE
Aplicación :
Dispositivo de semiconductor
Descripción

 

8 pulgadas 6 pulgadas AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer para micro-LED para aplicación de RF

 

Características de las obleas de GaN

  1. El contenido de nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno

El nitruro de galio es un tipo de semiconductores compuestos de amplio hueco.

un sustrato de cristal único de alta calidad, fabricado con el método HVPE original y la tecnología de procesamiento de obleas, que se ha desarrollado originalmente durante más de 10 años en China.Las características son muy cristalinas.Los sustratos de GaN se utilizan para muchos tipos de aplicaciones, para LED blanco y LD ((violeta, azul y verde).El desarrollo ha progresado para aplicaciones de dispositivos electrónicos de potencia y alta frecuencia.

 

 

Para la aplicación de energía

Tipo de la oblea N del diámetro 200m m AlGaN Si Epi para el LED micro 6 pulgadas

Especificación del producto

Las partidas Valores/Ámbito de aplicación
Substrato Sí, sí.
Diámetro de la oblea Cuatro/ 6 ¢ / 8¿Qué quieres decir?
espesor de la capa epi 4-5Mm
Arco de la oblea < 30 añosMm, típico
Morfología de la superficie RMS < 0,5 nm en 5 × 5 μm²
Barrera - ¿ Qué?X.¿ Qué pasa?1-XN, 0
Capa de la tapa En el lugarSiNo GaN (modo D); p-GaN (modo E)
Densidad de 2DEG > 9E12/cm220 nm Al0.25GaN)
Movilidad de los electrones Más de 1800 cm2/Vs20 nm Al0.25GaN)

 

Para aplicaciones de RF

Tipo de la oblea N del diámetro 200m m AlGaN Si Epi para el LED micro 6 pulgadas

Tipo de la oblea N del diámetro 200m m AlGaN Si Epi para el LED micro 6 pulgadas

Especificación del producto

Las partidas Valores/Ámbito de aplicación
Substrato El valor de las emisiones/Seco
Diámetro de la oblea 4/6/ paraSeco, 4 ¢/ 6 ¢/ 8El valor de las emisiones
Epi- espesor de la capa 2 y 3Mm
Arco de la oblea < 30 añosMm, típico
Morfología de la superficie RMS < 0,5 nm en 5 × 5 μm²
Barrera AlGaNo bienAlNo bienEnAlN
Capa de la tapa En el lugarSiNo GaN

 

 

Para la aplicación de LED

Tipo de la oblea N del diámetro 200m m AlGaN Si Epi para el LED micro 6 pulgadas

 

 

Acerca de nuestra fábrica OEM

Tipo de la oblea N del diámetro 200m m AlGaN Si Epi para el LED micro 6 pulgadas

 

Nuestra visión de la empresa Factroy
Proporcionaremos un sustrato GaN de alta calidad y tecnología de aplicación para la industria con nuestra fábrica.
El material GaN de alta calidad es el factor de restricción para la aplicación de nitritos III, por ejemplo, una larga vida útil.
y LD de alta estabilidad, dispositivos de microondas de alta potencia y alta fiabilidad,
y LED de alta eficiencia y ahorro de energía.

-Preguntas frecuentes
P: ¿Qué puede suministrar logística y costo?
(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF y demás.
(2) Si usted tiene su propio número expreso, es genial.
Si no, podríamos ayudarle a entregar.

P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
(1) Para los productos estándar, como las obleas de 2 pulgadas de 0,33 mm.
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles desde el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 4 semanas laborales después del pedido.

P: ¿Cómo se paga?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.

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Plazo de expedición :
1-5weeks
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7 Años
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
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