Especificaciones
Lugar de origen :
Hecho en china
Cantidad mínima de pedido :
Negociable
Tiempo de entrega :
Negociable
Términos de pago :
Negociable
Pureza :
96%, 99%
Materiales :
92% de alúmina en polvo
Tamaño :
Personalizado
Acabado superficial :
Pulido
Forma :
Personalizable
Propiedades :
aislamiento eléctrico
Tipo :
bola de cerámica
Solicitud :
Cerámica industrial
Coeficiente de expansión térmica :
8 x 10^-6 /K
Resistencia a la tracción :
250 MPa
Temperatura de funcionamiento máxima :
1800 ° C
Contenido de alúmina :
92% y 95%
Resistencia a la flexión :
350 MPA
Temperatura máxima de uso :
1.400 ° C
Descripción

Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10⁴ Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

Esta serie de componentes cerámicos de alúmina específicos para semiconductores se fabrican utilizando material de Al₂O₃ de ultra alta pureza al 99,6% mediante procesos de colado de cinta de precisión y sinterización a alta temperatura. Los productos exhiben un excelente aislamiento, resistencia a la corrosión y estabilidad dimensional, cumpliendo con los requisitos de limpieza de la Norma SEMI F47.

Aplicaciones principales en semiconductores

  • Fabricación de obleas: Piezas cerámicas para máquinas de grabado, barcos de difusión

  • Empaquetado y pruebas: Sustratos de tarjetas de sonda, zócalos de prueba

  • Componentes de equipos: Efectores finales de robots

  • Sistemas de vacío: Bases de mandriles electrostáticos

  • Inspección óptica: Guías cerámicas para máquinas de litografía

Ventajas del producto

✓ Ultra limpio: Contenido de iones metálicos <0.1ppm
✓ Dimensiones de precisión: Tolerancia ±0.05mm/100mm
✓ Resistencia al plasma: Tasa de grabado <0.1μm/h
✓ Baja emisión de gases: TML<0.1% CVCM<0.01%
✓ Alta fiabilidad: Pasa 1000 ciclos térmicos

Especificaciones técnicas

Parámetro Especificación Estándar de prueba
Pureza del material Al₂O₃≥99.6% GDMS
Resistividad volumétrica >10⁴Ω·cm ASTM D257
Constante dieléctrica 9.8@1MHz IEC 60250
Resistencia a la flexión ≥400MPa ISO 14704
CTE 7.2×10⁻⁶/°C DIN 51045
Rugosidad superficial Ra≤0.1μm ISO 4287
Emisión de gases TML<0.1% ASTM E595

Proceso de fabricación de semiconductores

  1. Preparación del material:

    • Polvo de Al₂O₃ de grado nano (D50≤0.5μm)

    • Molienda de bolas de alta pureza (ayudas de sinterización Y₂O₃-MgO)

  2. Proceso de formación:

    • Colado de cinta (espesor 0.1-5mm)

    • Prensado isostático (200MPa)

  3. Control de sinterización:

    • Sinterización en atmósfera de múltiples etapas (1600°C/H₂)

    • Post-tratamiento HIP (1500°C/150MPa)

  4. Mecanizado de precisión:

    • Procesamiento láser (±5μm)

    • Taladrado ultrasónico (relación de aspecto 10:1)

  5. Limpieza e inspección:

    • Limpieza megasónica (sala limpia Clase 1)

    • Prueba de partículas SEMI F47

Guías de uso

⚠️ Almacenamiento: Embalaje limpio Clase 100
⚠️ Entorno de instalación: 23±1°C HR45±5%
⚠️ Limpieza: Solo disolventes de grado semiconductor
⚠️ Manipulación: Evitar el contacto directo con las superficies funcionales

Servicios para semiconductores

  • Verificación de limpieza: Informes de pruebas VDA19

  • Análisis de fallos: Microanálisis SEM/EDS

  • Desarrollo personalizado: Codiseño DFM

Preguntas frecuentes

P: ¿Cómo asegurar la limpieza de la superficie de contacto de la oblea?
R: Triple protección:
① Activación de la superficie del plasma
② Embalaje al vacío + almacenamiento N₂
③ Limpieza con aire ionizado antes de la instalación

P: ¿Rendimiento en plasma a base de flúor?
R: Versión con tratamiento especial:
• Tasa de grabado <0.05μm/h
• Capa de pasivación AlF₃
• 3 veces mayor vida útil

P: ¿Tamaño máximo procesable?
R: Estándar 200×200mm, proceso especial hasta 400×400mm.

Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductoresCerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductoresCerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductoresCerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

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Hecho en china
Cantidad mínima de pedido :
Negociable
Tiempo de entrega :
Negociable
Términos de pago :
Negociable
Pureza :
96%, 99%
Materiales :
92% de alúmina en polvo
Proveedor de contacto
Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd

Active Member
2 Años
zhejiang, jinhua
Total anual :
>1000000
Número de empleados :
>100
Nivel de certificación :
Active Member
Proveedor de contacto
Requisito de presentación