Especificaciones
Number modelo :
LMG3425R050RQZR
Lugar del origen :
NC
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Western Union
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
Fábrica original
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 125°C (TJ)
Voltaje de fuente :
7,5 V ~ 18 V
Tiempo de subida :
2,5 ns
Tiempo de caída :
21 ns
Configuración :
No-inversión
Tipo de producto :
Conductores de la puerta
Descripción

FET de GaN de los conductores de la puerta del conductor LMG3425R050RQZR del silicio con el conductor integrado

 

Descripción

LMG3425R050RQZR integra un conductor del silicio que permita cambiar acelere a 150 V/ns. Resultados integrados del prejuicio de la puerta de la precisión del TI en una transferencia más alta SOA comparado a los conductores discretos de la puerta de silicio. Esta integración, combinada con el paquete de baja inductancia del TI, entrega la transferencia limpia y el sonido mínimo en topologías de la fuente de alimentación de la duro-transferencia. La fuerza ajustable de la impulsión de la puerta permite el control de la tarifa de ciénaga a partir de 20 V/ns a 150 V/ns, que se pueden utilizar para controlar la EMI y para optimizar activamente funcionamiento de la transferencia. El LMG3425R050 incluye el modo ideal del diodo, que reduce pérdidas del tercero-cuadrante permitiendo control adaptante del muerto-tiempo.

 

Especificaciones

Temperatura de funcionamiento:

-40°C ~ 125°C (TJ)

Voltaje de fuente:

7,5 V ~ 18 V

Tiempo de subida:

2,5 Ns

Tiempo de caída:

21 Ns

Configuración:

No-inversión

Tipo de producto:

Conductores de la puerta

 

Características
Calificado para JEDEC JEP180 para las topologías de la duro-transferencia
FET de 600-V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
200-V/ns CMTI
frecuencia que cambia 3.6MHz
20-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización de cambiar funcionamiento y la mitigación de la EMI
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
Protección robusta
la sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y la protección trabada del shortcircuit con < 100-ns="" response=""> soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
Autopretección de la temperatura excesiva interna y de la supervisión de UVLO
Gestión avanzada del poder
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante en LMG3425R050

 

 
 

FAQ
Q. ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

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LMG3425R050RQZR Gan Mosfet Driver Silicon Driver Gan Fet Drivers Integrated

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Number modelo :
LMG3425R050RQZR
Lugar del origen :
NC
MOQ :
10
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Western Union
Plazo de expedición :
5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :
Fábrica original
Proveedor de contacto
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LMG3425R050RQZR Gan Mosfet Driver Silicon Driver Gan Fet Drivers Integrated

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Años
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Total anual :
1000000-2000000
Número de empleados :
20~50
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Proveedor de contacto
Requisito de presentación