FET de los conductores LMG3425R030RQZR GaN de la puerta con el conductor integrado y el modo ideal VQFN54 del diodo
Descripción
El FET de LMG342xR030 GaN con el conductor integrado y la protección permite a diseñadores alcanzar nuevos niveles de densidad y de eficacia de poder en sistemas de la electrónica de poder. El LMG342xR030 integra un conductor del silicio que permita cambiar acelere a 150 V/ns. Resultados integrados del prejuicio de la puerta de la precisión del TI en una transferencia más alta SOA comparado a los conductores discretos de la puerta de silicio. Esta integración, combinada con el paquete de baja inductancia del TI, entrega la transferencia limpia y el sonido mínimo en topologías de la fuente de alimentación de la duro-transferencia. La fuerza ajustable de la impulsión de la puerta permite el control de la tarifa de ciénaga a partir de 20 V/ns a 150 V/ns, que se pueden utilizar para controlar la EMI y para optimizar activamente funcionamiento de la transferencia. El LMG3425R030 incluye el modo ideal del diodo, que reduce pérdidas del tercero-cuadrante permitiendo control adaptante del muerto-tiempo.
Especificaciones
Conductor ICs - diverso
Alto-lado, Bajo-lado
SMD/SMT
VQFN-54
1 conductor
1 salida
7,5 V
18 V
Inversión, No-invirtiendo
2,5 ns
21 ns
- 40 C
+ 125 C
Usos
Fuentes de alimentación industriales de alta densidad
Inversores solares e impulsiones industriales del motor
Fuentes de alimentación ininterrumpibles
Fuente de alimentación mercantil de la red y del servidor
Rectificadores mercantil de las telecomunicaciones
Características
Calificado para JEDEC JEP180 para la duro-transferencia
topologías
•
600
- FET de V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
–
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Frecuencia que cambia del megaciclo
–
30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización
del funcionamiento que cambia y de la mitigación de la EMI
–
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
•
Protección robusta
–
sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y cortocircuito trabado
protección de circuito con < 100-ns="" response="">
–
Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
–
Autopretección de la temperatura excesiva interna
y supervisión de UVLO
•
Gestión avanzada del poder
–
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
–
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante
en
LMG3425R030
Calificado para JEDEC JEP180 para las topologías de la duro-transferencia
FET de 600-V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
200-V/ns CMTI
frecuencia que cambia 2.2-MHz
30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización de cambiar funcionamiento y la mitigación de la EMI
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
Protección robusta
sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y protección trabada del shortcircuit con < 100-ns="" response="">
Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
Autopretección de la temperatura excesiva interna y de la supervisión de UVLO
Gestión avanzada del poder
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante en LMG3425R030
Medida para determinar retrasos de propagación y tarifas de ciénaga
Calificado para JEDEC JEP180 para la duro-transferencia
topologías
•
600
- FET de V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
–
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Frecuencia que cambia del megaciclo
–
30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización
del funcionamiento que cambia y de la mitigación de la EMI
–
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
•
Protección robusta
–
sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y cortocircuito trabado
protección de circuito con < 100-ns="" response="">
–
Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
–
Autopretección de la temperatura excesiva interna
y supervisión de UVLO
•
Gestión avanzada del poder
–
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
–
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante
en
LMG3425R030
Calificado para JEDEC JEP180 para la duro-transferencia
topologías
•
600
- FET de V GaN-en-Si con el conductor integrado de la puerta
–
Voltaje de polarización integrado de la puerta de la alta precisión
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Frecuencia que cambia del megaciclo
–
30-V/ns a 150-V/ns mató la tarifa para la optimización
del funcionamiento que cambia y de la mitigación de la EMI
–
Actúa desde 7.5-V a la fuente 18-V
•
Protección robusta
–
sobreintensidad de corriente del Ciclo-por-ciclo y cortocircuito trabado
protección de circuito con < 100-ns="" response="">
–
Soporta la duro-transferencia del rato de la oleada 720-V
–
Autopretección de la temperatura excesiva interna
y supervisión de UVLO
•
Gestión avanzada del poder
–
La temperatura PWM de Digitaces hizo salir
–
El modo ideal del diodo reduce pérdidas del tercero-cuadrante
en
LMG3425R030
FAQ Q. ¿Son sus productos originales? : Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito. Q: ¿Qué certificados usted tiene? : Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI. Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre? : Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto. Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro? : Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden. Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución? : Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.
Etiquetas del producto
Envía tu mensaje a este proveedor
Envía ahora
Envío exitoso!
LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 integró el medio puente Gan Driver
Su mensaje de solicitud ha sido enviado con éxito al proveedor. Por favor manténgase en contacto y se pondrán en contacto con usted tan pronto como sea posible.