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CRISOL DEL CARBURO DE SILICIO, METALURGIA, SEMICONDUCTOR Y FUSIÓN OPTOELECTRÓNICA, DA ALTA TEMPERATURA
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Especificaciones
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
CHINA
MOQ :
10000 pedazos
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
5-8 días laborables
Detalles de empaquetado :
Caja de madera fuerte para el envío global
Material :
carburo de silicio
Color :
Negro
Tamaño :
Modificado para requisitos particulares
Característica :
Conductividad termal excelente resistente uniformidad de la temperatura del choque del plasma a la b
Descripción

 

Crisol del carburo de silicio

 
Resistencia de abrasión de la resistencia de choque termal de la conductividad termal del crisol del carburo de silicio buena buena buena

Somos una empresa orientada a la exportación que integra diseño, el desarrollo, la producción y el servicio. Debido a los costes de la mano de obra bajos y fuerza de trabajo altamente experta y instalación de producción avanzada, podemos fabricar los productos de alta calidad en los precios bajos y proporcionar optimización de recursos. Acogemos con satisfacción sinceramente a todos los amigos a casa y en el extranjero entrarnos en contacto con, estableciendo relaciones de negocio o trabajar juntos para obtener beneficios mutuo.

 
 
Funcionamiento UNIDAD HS-A HS-P HS-XA
Tamaño de grano μm 4-10 4-10 4-10
Densidad g/cm ≥3.1 3.0-3.1 >3,1
Dureza (Knoop) ² de Kg/mm 2800 2800 2800
Fuerza flexural 4 pinta @ RT MPa*m1/2 385 240 420
*10 ² del ³ el 1b/in 55 55 55
Fuerza compresiva @ RT Mpa 3900 　 3900
*10 ² del ³ el 1b/in 560 560
Módulo de la elasticidad @ RT Gpa 410 400 410
*10 ² del ³ el 1b/in 59 58 59
Módulo de Weibull (parámetro 2) 　 8 19 12
Ratio de Poisson 　 0,14 0,14 0,14
Torsión del doble del RT de la dureza de la fractura @ y SENB MPa*m1/2 8 8 8
*1 ² del ³ el 1b/in en ½
Coeficiente de la extensión termal RT a 700℃ X10-6mm/mmK 4,02 4,2 4,02
X10-6 in/in°F 2,2 2,3 2,2
Calor específico de medio máximo del servicio Temp.Air @ RT °C 1900 1900 1900
J/gmK 0,67 0,59 0,67
Conductividad termal @ RT W/mK 125,6 110 125,6
H°F de Btu/ft 72,6 64 72,6
@200°C W/mK 102,6 　 102,6
H°F de Btu/ft 59,3 59,3
@400°C W/mK 77,5 　 77,5
H°F de Btu/ft 44,8 44,8
Permeabilidad @ RT a 1000°C 31MPa debajo de ninguna salida del gas
Resistencia eléctrica @ RT Ohmio-cm 102-106 N/A 102-106
Emisividad 　 0,9 0,9 0,9

 

 

Uso:

  • Sic los crisoles son de uso general en metalurgia, semiconductor y las industrias optoelectrónicas para la fusión da alta temperatura.


Requisitos de la característica:

  1. Estabilidad química da alta temperatura
  2. Fuerza da alta temperatura superior
  3. Resistencia de choque termal
  4. Resistencia a la corrosión del ácido y del álcali
  5. Conductividad termal excelente


Por qué mejore que otros:

  1. Servicios modificados para requisitos particulares
  2. Calidad estable y entrega rápida

 

 

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Capacidad de la fuente :
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Años
henan, zhengzhou
Desde 2007
Productos principales :
Elementos sic de calefacción, Elementos de calefacción Mosi2, Piezas de cerámica industriales
Total anual :
5000000-8000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
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