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BLOQUE DEL CARBURO DE SILICIO, PROCESO DE PULIDO DE LA OBLEA DE SILICIO DEL SEMICONDUCTOR, OBLEA DEL ZAFIRO DEL LED, OBLEA DEL LED
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Especificaciones
Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
CHINA
MOQ :
10000 pedazos
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
5-8 días laborables
Detalles de empaquetado :
Caja de madera fuerte para el envío global
Material :
carburo de silicio
Color :
Negro
tamaño :
Modificado para requisitos particulares
característica :
Conductividad termal excelente resistente uniformidad de la temperatura del choque del plasma a la b
Descripción

 

Bloque del carburo de silicio (sic)

 

Resistencia de abrasión de la resistencia de choque termal de la conductividad termal del bloque del carburo de silicio buena buena buena

Debido a nuestra capacidad de salida grande y capacidad que moldeaba fuerte para la producción del arreglo para requisitos particulares, nuestra compañía ha exportado nuestros productos a muchos mercados internacionales. Nuestros productos se certifican según requisitos de clientes.

Continuamos innovando, mejorar, y aumentar e integrar los recursos internamente y externamente fortalecer la flexibilidad de nuestra compañía y la competitividad de nuestros productos, y proveen de viejos y nuevos clientes el mejor servicio.

 


Uso:

  1. Proceso de pulido de la oblea de silicio del semiconductor

  2. Proceso de pulido de la oblea del zafiro del LED

  3. Proceso de reducción de la oblea del LED


Requisitos de la característica:

  1. Buena conductividad termal

  2. Buena resistencia de choque termal

  3. Buena resistencia de abrasión

 

Funcionamiento UNIDAD HS-A HS-P HS-XA
Tamaño de grano μm 4-10 4-10 4-10
Densidad g/cm ≥3.1 3.0-3.1 >3,1
Dureza (Knoop) ² de Kg/mm 2800 2800 2800
Fuerza flexural 4 pinta @ RT MPa*m1/2 385 240 420
*10 ² del ³ el 1b/in 55 55 55
Fuerza compresiva @ RT Mpa 3900 　 3900
*10 ² del ³ el 1b/in 560 560
Módulo de la elasticidad @ RT Gpa 410 400 410
*10 ² del ³ el 1b/in 59 58 59
Módulo de Weibull (parámetro 2) 　 8 19 12
Ratio de Poisson 　 0,14 0,14 0,14
Torsión del doble del RT de la dureza de la fractura @ y SENB MPa*m1/2 8 8 8
*1 ² del ³ el 1b/in en ½
Coeficiente de la extensión termal RT a 700℃ X10-6mm/mmK 4,02 4,2 4,02
X10-6 in/in°F 2,2 2,3 2,2
Calor específico de medio máximo del servicio Temp.Air @ RT °C 1900 1900 1900
J/gmK 0,67 0,59 0,67
Conductividad termal @ RT W/mK 125,6 110 125,6
H°F de Btu/ft 72,6 64 72,6
@200°C W/mK 102,6 　 102,6
H°F de Btu/ft 59,3 59,3
@400°C W/mK 77,5 　 77,5
H°F de Btu/ft 44,8 44,8
Permeabilidad @ RT a 1000°C 31MPa debajo de ninguna salida del gas
Resistencia eléctrica @ RT Ohmio-cm 102-106 N/A 102-106
Emisividad 　 0,9 0,9 0,9

 


Por qué mejore que otros:

 

  1. Disponible en diversas especificaciones, también proporcione los servicios modificados para requisitos particulares

  2. Calidad estable y entrega rápida

  3. Sic diámetro del bloque a partir 120m m hasta 480m m en existencia

  4. Ahorre la época del cargamento de la muestra y proceso de la descarga

  5. Tarifa de reducción más alta aceptable

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Number modelo :
Ms
Lugar del origen :
CHINA
MOQ :
10000 pedazos
Condiciones de pago :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
10000 pedazos por mes
Plazo de expedición :
5-8 días laborables
Proveedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Años
henan, zhengzhou
Desde 2007
Productos principales :
Elementos sic de calefacción, Elementos de calefacción Mosi2, Piezas de cerámica industriales
Total anual :
5000000-8000000
Número de empleados :
50~100
Nivel de certificación :
Active Member
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