Especificaciones
Brand Name :
Infineon Technologies
Model Number :
SPW20N60C3
Certification :
Rohs
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
240pcs
Price :
Negotiation
Payment Terms :
T/T
Supply Ability :
7200PCS/1WEEK
Delivery Time :
2-3days
Packaging Details :
240pcs/box
Technology: :
Si
Mounting Style: :
Through Hole
Package / Case: :
TO-247-3
Number of Channels: :
1 Channel
Transistor Polarity: :
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: :
600V
Descripción

El MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3 de Infineon es la tercera serie de Infineon de CoolMOS™

 

El reemplazo para 600V CoolMOS™ C3 es CoolMOS™ P7

600V CoolMOS™ C3 es la tercera serie de Infineon de CoolMOS™ con la entrada en mercado en 2001. C3 es de “caballo trabajo” de la cartera.

Resumen de características:

  • Resistencia específica baja del en-estado *A) (del RDS (encendido)
  • Almacenamiento de energía muy baja en la capacitancia de salida (Eoss) @400V
  • Carga baja de la puerta (Qg)
  • Calidad Fieldproven de CoolMOS™
  • La tecnología de CoolMOS™ ha sido fabricada por Infineon desde 1998

Ventajas:

  • Eficacia alta y densidad de poder
  • Coste/funcionamiento excepcionales
  • Alta confiabilidad
  • Facilidad de empleo

Usos de la blanco:

  • Servidor
  • Telecomunicaciones
  • Consumidor
  • Poder de la PC
  • Adaptador

 

Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta

 

Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta

 

Q1. ¿Cuál es sus términos de embalar?

: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones. Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

 

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

 

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

 

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro negocio relación a largo plazo y buena?

: Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente pues nuestro amigo y nosotros sinceramente hacer negocio y hacer a amigos con ellos, él no es algo que puede ser substituido.

 

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

 

 

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Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta

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Brand Name :
Infineon Technologies
Model Number :
SPW20N60C3
Certification :
Rohs
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
240pcs
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Negotiation
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Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta
Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta
Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta
Mosfet bajo 600V TO247-3 del poder del canal N del poder más elevado del Mosfet de Igbt de la carga de la puerta

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Site Member
7 Años
guangdong, shenzhen
Desde 1998
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer
Total anual :
50000000-70000000
Número de empleados :
100~200
Nivel de certificación :
Site Member
Proveedor de contacto
Requisito de presentación