MOSFET electrónico de Infineon IRF1405STRLPBF de los circuitos integrados del ohmio 170nC de 55V 131A los 5.3m

                                                                   Usos típicos

Diseño planar de la raya de MOSFETs del poder de HEXFET®
utiliza las técnicas de proceso más lastest para alcanzar
extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Adicional
las características de este MOSFET del poder de HEXFET son 175°C
temperatura de funcionamiento del empalme, velocidad de transferencia rápida
y grado repetidor mejorado de la avalancha. Éstos
las ventajas combinan para hacer este diseño extremadamente
dispositivo eficiente y confiable para el uso en una gran variedad
de usos.

Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje?

A: Generalmente, embalamos nuestras mercancías en cajas blancas neutrales y cartones marrones.

Si usted ha registrado legalmente patente, podemos embalar las mercancías en sus cajas calificadas después de conseguir sus letras de la autorización.

Q2. ¿Cuál es su MOQ?

A: ¡Le proporcionamos pequeño MOQ para cada artículo, él dependemos su orden concreto!

Q3. ¿Usted prueba o comprueba todas sus mercancías antes de entrega?

A: Sí, tenemos prueba del 100% y comprobamos todas las mercancías antes de entrega.

Q4: ¿Cómo usted hace nuestro largo plazo del negocio y buena relación?

Guardamos buena calidad y el precio competitivo para asegurar a nuestros clientes se beneficia;

Respetamos a cada cliente como nuestro amigo y nosotros hacemos sinceramente negocio y hacemos a amigos con ellos, él no somos algo que puede ser substituido.

Q5: ¿Cómo entrarnos en contacto con?
A: ¡Envíe sus detalles en el abajo, tecleo de la investigación “ahora envían "!!!

Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Hongxinwei

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