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FET IRFP260N TO-247 MOS importado nuevo y original con alta potencia de 200V/50A
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Especificaciones
Temperatura de funcionamiento :
-55 °C ~ 175 °C
Serie :
HEXFET
Descripción :
FET IRFP260N TO-247 MOS importado nuevo y original con alta potencia de 200V/50A
Número de modelo :
IRFP260N
El tipo :
MOSFET 
lugar de origen :
originales
D/C :
23+
Tipo de paquete :
En el agujero
Aplicación :
Objeto general, todo tipo de productos electrónicos
Tipo de proveedor :
Fabricante original, ODM, Agencia, distribuidor
Referencias cruzadas :
-
Medios disponibles :
Hoja de datos, fotografía
Corriente - colector (Ic) (máximo) :
Las demás:
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :
Las demás:
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :
Estándar
Corriente - límite del colector (máximo) :
50A
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :
Estándar
Potencia - máximo :
Estándar
Frecuencia - Transición :
Estándar
Tipo de montaje :
A través del Hoyo, a través del Hoyo
Envase / estuche :
TO-247
Resistencia - Base (R1) :
Estándar
Resistencia - Base del emisor (R2) :
Estándar
Tipo de FET :
Estándar
Característica del FET :
Estándar
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :
Estándar
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :
Estándar
Vgs(th) (máximo) @ Id :
Estándar
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :
Estándar
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
Estándar
Frecuencia :
Estándar
Clasificación de corriente (amperios) :
50A
Figura del ruido :
Estándar
Potencia - Producción :
Estándar
Voltado nominal :
Las demás:
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :
Estándar
Vgs (máximo) :
Estándar
Tipo de IGBT :
MOSFET
Configuración :
Estándar
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :
Estándar
Ingreso :
Estándar
El termistor NTC :
Estándar
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :
Estándar
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
Estándar
Dren actual (identificación) - máxima :
Estándar
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :
Estándar
Resistencia - RDS (encendido) :
Estándar
Voltado - Salida :
Estándar
Voltaje - compensación (Vt) :
Estándar
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :
Estándar
Actual - valle (iv) :
Estándar
Actual - pico :
50A
Tipo de transistor :
Transistor del MOSFET
Número de la parte :
IRFP260N
Calidad :
De alta calidad
tiempo de entrega :
Entre 1 y 3 días
Pago :
Paypal\TT\Western Union\Aseguramiento del comercio
Envío por :
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Más
el proveedor :
originales
Cuota de producción :
10 PCS
Detalis :
Póngase en contacto con nosotros.
Original de :
Marca original
Descripción
Descripción del producto
Tipo de producto:
Transistor de efecto de campo MOS de alta potencia
Número del modelo:
Se aplicará el método IRFP260N.
La serie:
HEXFET
Vendedor:
En el caso de los productos
Embalaje:
TO-247
Instale el estilo:
agujero
Nuevo y original
Se aplicará el método IRFP260N.TO-247 Transistor de efecto de campo MOS de alta potenciaes uno de nuestros chips IC más vendidos
Persona de contacto:
El Sr. Guo
El teléfono:
+86 13434437778
El correo electrónico:
¿Cómo se llama?
En Wechat:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1 del presente artículo,
Embalaje y entrega
Cantidad ((piezas)
1 a 100
100 a 1000
Entre 1000 y 10000
Tiempo de ejecución (días)
3 y 5
5 a 8.
Para ser negociado
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Perfil de la empresa
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Preguntas frecuentes
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Detalle del producto
Temperatura de funcionamiento :
-55 °C ~ 175 °C
Serie :
HEXFET
Descripción :
FET IRFP260N TO-247 MOS importado nuevo y original con alta potencia de 200V/50A
Número de modelo :
IRFP260N
El tipo :
MOSFET 
lugar de origen :
originales
Proveedor de contacto
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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2015
Productos principales :
circuito integrado, IGBT, Microcontrolador MCU
Total anual :
3000000-5000000
Número de empleados :
30~50
Nivel de certificación :
Active Member
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