MachineU > Productos de China > Luces e Iluminación > Accesorios de iluminación > Serie de encapsulación LED > LED SMD

SI2301CDS-T1-GE3 P Canal MOSFET FET Chip Componentes electrónicos IC SOT-23 Embalaje

Especificaciones

Número de modelo :

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los ve

lugar de origen :

originales

Descripción :

MOSFETs, -

Temperatura de funcionamiento :

-55 °C ~ 150 °C, -55 °C ~ 150 °C

Serie :

SI2

El tipo :

MOSFET, transistores

D/C :

23+, 23+

Tipo de paquete :

Montura de la superficie

Aplicación :

Objeto general, todo tipo de productos electrónicos

Tipo de proveedor :

otras

Referencias cruzadas :

Medios disponibles :

otras

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :

Corriente - límite del colector (máximo) :

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :

Potencia - máximo :

860 mW ((Ta),1.6W ((Tc)

Frecuencia - Transición :

Tipo de montaje :

Soporte superficial, soporte superficial

Envase / estuche :

El SOT-23

Resistencia - Base (R1) :

Resistencia - Base del emisor (R2) :

Tipo de FET :

Característica del FET :

Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :

112 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (máximo) @ Id :

1V @ 250A

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :

10 nC @ 4,5 V

Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :

405 pF @ 10 V

Frecuencia :

Clasificación de corriente (amperios) :

Figura del ruido :

Potencia - Producción :

Voltado nominal :

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :

Vgs (máximo) :

±8V

Tipo de IGBT :

Configuración :

Fase única

Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :

Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :

Ingreso :

El termistor NTC :

Voltaje - avería (V (BR) GSS) :

Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :

Dren actual (identificación) - máxima :

Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :

Resistencia - RDS (encendido) :

Voltado - Salida :

Voltaje - compensación (Vt) :

Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :

- ¿Qué quieres decir?

Actual - valle (iv) :

Actual - pico :

Tipo de transistor :

MOS

Nombre del producto :

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los ve

Original de :

Marca original

Detalis :

Póngase en contacto con nosotros.

Envío por :

DHL\UPS\Fedex\EMS\Correo de Hong Kong

Pago :

Paypal y Western Union

Condición :

Nuevo y Original

Garantización :

365 días de garantía

Calidad :

Original de alta calidad

Válvula de tensión :

Aplicaciones :

MOS

Descripción

Descripción del producto

Tipo de producto:	Chip de transistor de efecto de campo MOSFET
Número del modelo:	Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor será inferior al 0,5%.
La serie:	El SI2
Vendedor:	VISHAY
Embalaje:	El SOT-23
Instale el estilo:	Instalación en la superficie
	Nuevo y original

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor será inferior al 0,5%.El SOT-23 Chip de transistor de efecto de campo MOSFETes uno de nuestros chips IC más vendidos

Persona de contacto:	El Sr. Guo
El teléfono:	+86 13434437778
El correo electrónico:	¿Cómo se llama?
En Wechat:	No obstante lo dispuesto en el apartado 1 del presente artículo,

Embalaje y entrega

Cantidad ((piezas)	1 a 100	100 a 1000	Entre 1000 y 10000
Tiempo de ejecución (días)	3 y 5	5 a 8.	Para ser negociado

Perfil de la empresa

Preguntas frecuentes

Envía tu mensaje a este proveedor

Mensaje*

Correo electrónico*

Por teléfono o WhatsApp*

Nombre

Compañía

Por favor, contéstame en 24 horas.

¡Quiero que verifiquen sus proveedores!

Envía ahora

Envío exitoso!

SI2301CDS-T1-GE3 P Canal MOSFET FET Chip Componentes electrónicos IC SOT-23 Embalaje

Pregunta el precio más reciente

Detalle del producto

Número de modelo :

Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los ve

lugar de origen :

originales

Descripción :

MOSFETs, -

Temperatura de funcionamiento :

-55 °C ~ 150 °C, -55 °C ~ 150 °C

Serie :

SI2

El tipo :

MOSFET, transistores

Proveedor de contacto

Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Active Member

1 Años

shenzhen

Desde 2015

Productos principales :

circuito integrado, IGBT, Microcontrolador MCU

Total anual :

3000000-5000000

Número de empleados :

30~50

Nivel de certificación :

Active Member

Descubre productos similares

BTA100-800B TO-4 Tiristor tríac de alta potencia 800V 100A Regula el tiristor de

Contacta ahora
FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Transistor de canal N a través del montaje del

Contacta ahora
ULN2003A Interruptor de distribución de carga de circuito integrado transistor

Contacta ahora
IRF8714TRPBF SOP-8 N Canal MOS Efecto de campo Transistor IC Componentes electr

Contacta ahora
AP3010 SOP-8 Transistores MOS FET impresos en pantalla Resisten una tensión de

Contacta ahora
ULN2803A Circuito integrado de circuito integrado con chip de conductor de

Contacta ahora
2N7002 SOT-23-3 7002 SMD MOSFET Transistores de canal N 60V/115mA

Contacta ahora
LTV-354T SOP-4 Transistor Optoacopladores de salida de superficie montado en el

Contacta ahora
SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip N Canal 40V/20.5A

Contacta ahora
NCEP15T14D TO-263 Transistor MOSFET de 150V 140A Canal N para Productos Electr

Contacta ahora

Encuentra productos similares por categoría:

Página de inicio del proveedor Productos MOS Transistor

MachineU Productos de China Luces e Iluminación Accesorios de iluminación Serie de encapsulación LED LED SMD

SI2301CDS-T1-GE3 P Canal MOSFET FET Chip Componentes electrónicos IC SOT-23 Embalaje

Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

BTA100-800B TO-4 Tiristor tríac de alta potencia 800V 100A Regula el tiristor de

FDP18N50 TO-220 18A/500V MOS FET Transistor de canal N a través del montaje del

ULN2003A Interruptor de distribución de carga de circuito integrado transistor

IRF8714TRPBF SOP-8 N Canal MOS Efecto de campo Transistor IC Componentes electr

AP3010 SOP-8 Transistores MOS FET impresos en pantalla Resisten una tensión de

ULN2803A Circuito integrado de circuito integrado con chip de conductor de

2N7002 SOT-23-3 7002 SMD MOSFET Transistores de canal N 60V/115mA

LTV-354T SOP-4 Transistor Optoacopladores de salida de superficie montado en el

SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFET Transistor Chip N Canal 40V/20.5A

NCEP15T14D TO-263 Transistor MOSFET de 150V 140A Canal N para Productos Electr

Encuentra productos similares por categoría: