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MOSFET 150V Transistor IPB072N15N3G OT-263 de canal N de circuito integrado original
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Especificaciones
Temperatura de funcionamiento :
-55 °C ~ 175 °C
Serie :
OptiMOS 3
Descripción :
MOSFET 150V Transistor IPB072N15N3G OT-263 de canal N de circuito integrado original
Número de modelo :
IPB072N15N3G
El tipo :
MOSFET 
lugar de origen :
originales
D/C :
23+
Tipo de paquete :
Montura de la superficie
Aplicación :
El conductor de MOSFET, todo tipo de productos electrónicos
Tipo de proveedor :
Agencia, minorista
Referencias cruzadas :
Contacto para los detalles
Medios disponibles :
hoja de datos
Corriente - colector (Ic) (máximo) :
Establemente
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :
Establemente
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :
Establemente
Corriente - límite del colector (máximo) :
Establemente
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :
Establemente
Potencia - máximo :
Establemente
Frecuencia - Transición :
Establemente
Tipo de montaje :
Soporte superficial, soporte superficial
Envase / estuche :
TO-263
Resistencia - Base (R1) :
Establemente
Resistencia - Base del emisor (R2) :
Establemente
Tipo de FET :
Estándar
Característica del FET :
Establemente
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :
Las demás:
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :
Establemente
Vgs(th) (máximo) @ Id :
Establemente
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :
Establemente
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
Establemente
Frecuencia :
Establemente
Clasificación de corriente (amperios) :
Las demás:
Figura del ruido :
Establemente
Potencia - Producción :
Establemente
Voltado nominal :
Establemente
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :
Establemente
Vgs (máximo) :
Establemente
Tipo de IGBT :
Establemente
Configuración :
Establemente
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :
Establemente
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :
Establemente
Ingreso :
Establemente
El termistor NTC :
Establemente
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :
Establemente
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
Establemente
Dren actual (identificación) - máxima :
Establemente
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :
Establemente
Resistencia - RDS (encendido) :
Establemente
Voltado - Salida :
Establemente
Voltaje - compensación (Vt) :
Establemente
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :
Establemente
Actual - valle (iv) :
Establemente
Actual - pico :
Establemente
Tipo de transistor :
Estándar
Nombre del producto :
Transistor del Mosfet del poder
V ((DS) :
Las demás:
R(DS encendido) :
7.2 mOhms
Ptot (máximo) :
300 W
Marcado :
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, el número de certificado de conformidad será el siguiente
Tamaño del embalaje :
1000
Pago :
T/T
Envío por :
DHL\UPS\Fedex\EMS\Correo de Hong Kong
Detalis :
Póngase en contacto con nosotros.
Descripción
Descripción del producto
Tipo de producto:
MOSFET de potencia de canal N
Número de modelo:
IPB072N15N3G
Serie:
OptiMOS 3
Proveedor:
Infineon
Embalaje:
TO-263
Instalar el estilo:
Montaje en superficie
Nuevo y original
IPB072N15N3GTO-263 MOSFET de potencia de canal Nes uno de nuestros chips de circuito integrado más vendidos
Persona de contacto:
Sr. Guo
Tel:
+86 13434437778
Correo electrónico:
XCDZIC@163.COM
Wechat:
0086 13434437778
Embalaje y entrega
Cantidad (piezas)
1-100
100-1000
1000-10000
Plazo de entrega (días)
3-5
5-8
A negociar
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Perfil de la empresa
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Preguntas frecuentes
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Temperatura de funcionamiento :
-55 °C ~ 175 °C
Serie :
OptiMOS 3
Descripción :
MOSFET 150V Transistor IPB072N15N3G OT-263 de canal N de circuito integrado original
Número de modelo :
IPB072N15N3G
El tipo :
MOSFET 
lugar de origen :
originales
Proveedor de contacto
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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2015
Productos principales :
circuito integrado, IGBT, Microcontrolador MCU
Total anual :
3000000-5000000
Número de empleados :
30~50
Nivel de certificación :
Active Member
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