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Nuevo transistor bipolar SOT-23 MMBT5551 Transistor SMD serigrafiado NPN Polar Transistor
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Especificaciones
Temperatura de funcionamiento :
-55 °C ~ 150 °C
Serie :
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero
Descripción :
Nuevo transistor bipolar SOT-23 MMBT5551 Transistor SMD serigrafiado NPN Polar Transistor
Número de modelo :
MMBT5551
El tipo :
Transistor bipolar
lugar de origen :
originales
D/C :
23+
Tipo de paquete :
Montura de la superficie
Aplicación :
El objetivo de la norma es el de:
Tipo de proveedor :
Fabricante original
Referencias cruzadas :
Estándar
Medios disponibles :
otras
Corriente - colector (Ic) (máximo) :
Estándar
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :
Estándar
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :
Estándar
Corriente - límite del colector (máximo) :
Estándar
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :
Estándar
Potencia - máximo :
Estándar
Frecuencia - Transición :
Estándar
Tipo de montaje :
Tipo de montaje de la superficie
Envase / estuche :
El SOT-23
Resistencia - Base (R1) :
Estándar
Resistencia - Base del emisor (R2) :
Estándar
Tipo de FET :
Estándar
Característica del FET :
Estándar
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :
Estándar
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :
Estándar
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :
Estándar
Vgs(th) (máximo) @ Id :
Estándar
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :
Estándar
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
Estándar
Frecuencia :
Estándar
Clasificación de corriente (amperios) :
Estándar
Figura del ruido :
Estándar
Potencia - Producción :
Estándar
Voltado nominal :
Estándar
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :
Estándar
Vgs (máximo) :
Estándar
Tipo de IGBT :
Estándar
Configuración :
Estándar
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :
Estándar
Ingreso :
Estándar
El termistor NTC :
Estándar
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :
Estándar
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
Estándar
Dren actual (identificación) - máxima :
Estándar
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :
Estándar
Resistencia - RDS (encendido) :
Estándar
Voltado - Salida :
Estándar
Voltaje - compensación (Vt) :
Estándar
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :
Estándar
Actual - valle (iv) :
Estándar
Actual - pico :
Estándar
Tipo de transistor :
Tipo bipolar
Pago :
efectivo
Subcategoría :
Bipolaridad
Condición :
Acción lista
Envío :
DHL FEDEX UPS TNT EPACK CHINA POST
Envasado :
Caja de cartón de tupe
Envío por :
En Shenzhen
Detalis :
Póngase en contacto con nosotros.
Original de :
Marca original
Descripción
Descripción del producto
Tipo de producto:
Transistor bipolar - transistor de unión bipolar BJT
Número de modelo:
MMBT5551
Serie:
MMBT-BJT
Proveedor:
Diotec Semiconductor
Embalaje:
SOT-23
Instalar el estilo:
Tipo de montaje en superficie
Nuevo y original
MMBT5551SOT-23 Transistor bipolar - transistor de unión bipolar BJTes uno de nuestros chips de circuito integrado más vendidos
Persona de contacto:
Sr. Guo
Teléfono:
+86 13434437778
Correo electrónico:
XCDZIC@163.COM
Wechat:
0086 13434437778
Embalaje y entrega
Cantidad (piezas)
1-100
100-1000
1000-10000
Plazo de entrega (días)
3-5
5-8
A negociar
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Perfil de la empresa
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Preguntas frecuentes
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Temperatura de funcionamiento :
-55 °C ~ 150 °C
Serie :
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero
Descripción :
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Número de modelo :
MMBT5551
El tipo :
Transistor bipolar
lugar de origen :
originales
Proveedor de contacto
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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2015
Productos principales :
circuito integrado, IGBT, Microcontrolador MCU
Total anual :
3000000-5000000
Número de empleados :
30~50
Nivel de certificación :
Active Member
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