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Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W a través del agujero TO-247
Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W a través del agujero TO-247
Especificaciones
Number modelo :
BIDW30N60T
MOQ :
50pcs
Capacidad de la fuente :
1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :
600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :
60 A
Actual - colector pulsado (Icm) :
90 A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :
1.65V @ 15V, 30A
Potencia - Máx. :
230 W
Carga de la puerta :
76 nC
Descripción

Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W a través del agujero TO-247

Los Bourns modelan los transistores bipolares aislados HECHOS UNA OFERTA de la puerta

Los Bourns modelan tecnología bipolar aislada HECHA UNA OFERTA de la cosechadora de los transistores de la puerta (IGBTs) de una puerta del MOSFET y de un transistor bipolar y se diseñan para los usos de alto voltaje/de gran intensidad. El modelo HIZO UNA OFERTA tecnología avanzada de la Campo-parada de la Foso-puerta del uso de IGBTs para proporcionar el mayor control de las características dinámicas, dando por resultado un voltaje de saturación más bajo del Colector-emisor y menos pérdidas que cambiaban. El IGBTs ofrece un -55°C a la gama de temperaturas de funcionamiento de +150°C y está disponible en paquetes de TO-252, de TO-247, y de TO-247N. Estos componentes termalmente eficientes proporcionan una resistencia termal más baja que les hace las soluciones convenientes de IGBT para las fuentes de alimentación del Interruptor-modo (SMPS), las fuentes de energía continuas (UPS), y los usos de la corrección de factor de poder (PFC).

CARACTERÍSTICAS

  • BIDD05N60T
    • 600V, 5A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
    • Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
    • Optimizado para la conducción
    • Robusto, paquete TO-252
    • RoHS obediente
  • BIDW20N60T
    • 600V, 20A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
    • Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
    • Optimizado para la conducción
    • Pérdida que cambia baja
    • Paquete TO-247
    • RoHS obediente
  • BIDW30N60T
    • 600V, 30A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
    • Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
    • Optimizado para la conducción
    • Paquete TO-247
    • RoHS obediente
  • BIDW50N65T
    • 600V, 50A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
    • Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
    • Optimizado para la conducción
    • Paquete TO-247
    • RoHS obediente
  • BIDNW30N60H3
    • 600V, 30A, voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
    • Tecnología de la Campo-parada de la Foso-puerta
    • Pérdida que cambia baja
    • Transferencia rápida
    • Paquete de TO-247N
    • RoHS obediente

USOS

  • fuentes de alimentación del Interruptor-modo (SMPS)
  • Fuentes de energía continuas (UPS)
  • Corrección de factor de poder (PFC)
  • Inversores (BIDW50N65T únicos)
  • Calefacción de inducción (BIDW30N60T y BIDNW30N60H3 únicos)
  • Motores de pasos (BIDW20N60T únicos)
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Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W a través del agujero TO-247

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Detalle del producto
Number modelo :
BIDW30N60T
MOQ :
50pcs
Capacidad de la fuente :
1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :
600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :
60 A
Actual - colector pulsado (Icm) :
90 A
Proveedor de contacto
Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W a través del agujero TO-247

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2020
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Circuitos integrados ICs, Lógica programable ICs, Diodo Zener IC
Total anual :
3000000-5000000
Número de empleados :
10~20
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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