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Foso IGBT 650V 80A 375W de la parada de campo FGHL75T65MQDTL4 a través del agujero TO-247-4L
Foso IGBT 650V 80A 375W de la parada de campo FGHL75T65MQDTL4 a través del agujero TO-247-4L
Especificaciones
Number modelo :
FGHL75T65MQDTL4
MOQ :
50pcs
Capacidad de la fuente :
1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :
650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :
80A
Actual - colector pulsado (Icm) :
300 A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 75A
Potencia - Máx. :
375 W
Energía que cambia :
1.2mJ (encendido), 1.1mJ (apagado)
Descripción

Parada de campo del foso de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 650 V 80 A 375 W a través del agujero TO-247-4L

foso IGBTs del onsemi FGHL75T65MQDTx

el foso IGBTs del onsemi FGHL75T65MQDTx es 4la mediados de-velocidad IGBTs de la generación del th tecnología-embaló con el diodo actual completamente clasificado. Los FGHL75T65MQDTx IGBTs actúan en la temperatura de empalme máxima 175°C, el colector 650V al voltaje del emisor, y la corriente de colector 75A. Este IGBTs ofrece el coeficiente de temperatura positivo para la operación paralela fácil, capacidad de gran intensidad, transferencia lisa y optimizada, y distribución apretada del parámetro. El FGHL75T65MQDT se construye en un paquete de TO247-3L y el FGHL75T65MQDTL4 IGBT se construye en un paquete de TO247-4L. Este IGBTs es ideal para los usos en inversores solares, UPS, el ESS, PFC, y convertidores.

CARACTERÍSTICAS

  • temperatura de empalme máxima 175°C TJ
  • Coeficiente de temperatura positivo para un funcionamiento fácil del paralelo
  • Capacidad de gran intensidad
  • Voltaje de saturación bajo:
    • VCE(se sentó)= 1.15V (típico) @ yoC= 75A
  • 100% de las piezas se prueba para ILM
  • Transferencia lisa y optimizada
  • Distribución apretada del parámetro
  • RoHS obediente

USOS

  • Inversores solares
  • UPS y ESS
  • PFC y convertidores
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Foso IGBT 650V 80A 375W de la parada de campo FGHL75T65MQDTL4 a través del agujero TO-247-4L

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Detalle del producto
Number modelo :
FGHL75T65MQDTL4
MOQ :
50pcs
Capacidad de la fuente :
1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :
650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :
80A
Actual - colector pulsado (Icm) :
300 A
Proveedor de contacto
Foso IGBT 650V 80A 375W de la parada de campo FGHL75T65MQDTL4 a través del agujero TO-247-4L

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2020
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Circuitos integrados ICs, Lógica programable ICs, Diodo Zener IC
Total anual :
3000000-5000000
Número de empleados :
10~20
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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