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Módulo del transistor de WG50N65DHWQ IGBT, foso IGBT 650V 91A 278W de la parada de campo
Módulo del transistor de WG50N65DHWQ IGBT, foso IGBT 650V 91A 278W de la parada de campo
Especificaciones
Number modelo :
WG50N65DHWQ
MOQ :
50pcs
Capacidad de la fuente :
1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :
650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :
91 A
Actual - colector pulsado (Icm) :
200A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 50A
Potencia - Máx. :
278 W
Energía que cambia :
1.7mJ (encendido), 600µJ (apagado)
Descripción

Parada de campo del foso de WG50N65DHWQ IGBT 650 V 91 A 278 W a través del agujero TO-247-3

Semiconductores WG50N65DHWQ IGBT de WeEn

Los semiconductores WG50N65DHWQ IGBT de WeEn son 650V/50A de alta velocidad IGBT con un diodo antiparalelo en un paquete TO247. Este IGBT ofrece de alta velocidad con pérdidas bajas de la transferencia y las características alisan el comportamiento que cambia que evita voltaje llega más allá y reducen el sistema EMI. El WG50N65DHWQ IGBT ofrece tecnología de la campo-parada de la puerta del foso y ofrece resistencia termal baja. Este IGBT viene en un paquete halógeno-libre, ofrece un final Pb-libre de la ventaja, y es RoHS obediente. Los usos típicos incluyen la corrección de factor de poder, convertidor de soldadura, inversor solar. inversor industrial, y UPS.

CARACTERÍSTICAS

  • De alta velocidad con pérdidas que cambian bajas
  • Diodo antiparalelo de la recuperación rápida y suave
  • V positivoCE (se sentó)coeficiente de temperatura
  • Diodo antiparalelo de la recuperación rápida y suave
  • Calificó según JEDEC y cumple el requisito de la inflamabilidad UL94V0
  • El comportamiento que cambia liso evita voltaje llega más allá y reduce del sistema EMI
  • paquete Halógeno-libre y final Pb-libre de la ventaja
  • RoHS obediente
  • Resistencia termal baja
  • V bajoCE (se sentó)y pérdidas que cambian bajas
  • Tecnología de la campo-parada de la puerta del foso

ESPECIFICACIONES

  • -55°C a la gama de temperaturas de funcionamiento de empalme 150°C
  • voltaje V del Colector-emisor 650VCE
  • corriente de colector de 50A DC IC

USOS

  • Corrección de factor de poder
  • Convertidor de soldadura
  • Inversor solar
  • Inversor industrial
  • UPS

DIBUJO INDUSTRIAL

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Number modelo :
WG50N65DHWQ
MOQ :
50pcs
Capacidad de la fuente :
1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :
650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :
91 A
Actual - colector pulsado (Icm) :
200A
Proveedor de contacto
Módulo del transistor de WG50N65DHWQ IGBT, foso IGBT 650V 91A 278W de la parada de campo

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2020
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Circuitos integrados ICs, Lógica programable ICs, Diodo Zener IC
Total anual :
3000000-5000000
Número de empleados :
10~20
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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