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Parada de campo del foso RGS80TS65HRC11 IGBT 650V 73A 272W a través del agujero TO-247N
Parada de campo del foso RGS80TS65HRC11 IGBT 650V 73A 272W a través del agujero TO-247N
Especificaciones
Number modelo :
RGS80TS65HRC11
MOQ :
50pcs
Capacidad de la fuente :
1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :
650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :
73 A
Actual - colector pulsado (Icm) :
120A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 40A
Potencia - Máx. :
272 W
Energía que cambia :
1.05mJ (encendido), 1.03mJ (apagado)
Descripción

Parada de campo del foso de RGS80TS65HRC11 IGBT 650 V 73 A 272 W a través del agujero TO-247N

Foso IGBTs automotriz de la parada de campo del semiconductor RGS de ROHM

El foso IGBTs automotriz de la parada de campo del semiconductor RGS de ROHM es AEC-Q101 IGBTs automotriz clasificado que es en 1200 las variantes disponibles V y 650V. Este IGBTs entrega la pérdida baja clase-principal de la conducción que contribuye a reducir el tamaño y a mejorar la eficacia de usos. Los RGS IGBTs utilizan tecnologías originales de la foso-puerta y de la fino-oblea. Estas tecnologías ayudan a alcanzar el voltaje de saturación bajo del colector-emisor (VCE (sentado)) con reducido el cambiar de pérdidas. Este IGBTs proporciona ahorros de la energía crecientes en una variedad de usos de alto voltaje y de gran intensidad.

CARACTERÍSTICAS

  • pérdida baja Clase-principal de la conducción
  • Eficacia alta
  • Reduzca el tamaño
  • Disponible en grados 1200V y 600V
  • Utilice las tecnologías de la foso-puerta y de la fino-oblea
  • Voltaje de saturación bajo del colector-emisor de la oferta
  • Pérdidas que cambian reducidas
  • Aumente los ahorros de la energía
  • AEC-Q101 calificó
  • Paquete de TO-247N

USOS

  • Inversor general para el uso automotriz e industrial
  • Calentador positivo del coeficiente de temperatura (PTC)
  • Compresores eléctricos

GRÁFICOS DE FUNCIONAMIENTO

Parada de campo del foso RGS80TS65HRC11 IGBT 650V 73A 272W a través del agujero TO-247N
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Number modelo :
RGS80TS65HRC11
MOQ :
50pcs
Capacidad de la fuente :
1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) :
650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) :
73 A
Actual - colector pulsado (Icm) :
120A
Proveedor de contacto
Parada de campo del foso RGS80TS65HRC11 IGBT 650V 73A 272W a través del agujero TO-247N

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Años
shenzhen
Desde 2020
Tipo de empresa :
Distribuidor/mayorista
Productos principales :
Circuitos integrados ICs, Lógica programable ICs, Diodo Zener IC
Total anual :
3000000-5000000
Número de empleados :
10~20
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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