Un revolucionario sustrato óptico de 4H-SiC diseñado específicamente para gafas AR,cultivado mediante el transporte físico de vapor (PVT) y refinado mediante pulido a nanoescala y corte a baja tensión.Este producto logra la primera solución de visualización a todo color de una sola capa de guía de ondas, abordando desafíos críticos en la óptica AR:

• Índice de refracción ultra-alto (n=2,619@750 nm): supera el vidrio tradicional (1.5?? 1,9) y la resina (1.4?? 1,7), permitiendo un campo de visión > 80 ° (FOV) con un grosor de solo 0.55 mm y peso < 2 g , eliminando el volumen y la aberración cromática de las soluciones de vidrio multicapa.
• Conductividad térmica de 490 W/m·K: disipa eficientemente el calor de los módulos ópticos de alta potencia, garantizando un rendimiento estable durante un uso prolongado.
• Transmisibilidad > 95% (revestimiento post-anti-reflejo): el coeficiente de absorción ultra bajo (α < 0,5%/μm @ 550 nm) minimiza la pérdida óptica, mejorando el brillo y el contraste.

Este sustrato redefine experiencias de realidad aumentada ligeras e inmersivas, impulsando la próxima generación de gafas de realidad aumentada de calidad para el consumidor.

1. Alto índice de refracción con baja dispersión

• Avance técnico: el politipo 4H (secuencia de apilamiento ABCABCB) alcanza n=2,619@750 nm, comprimiendo los períodos de rejilla a 300 nm para suprimir la difracción de la luz ambiental,Reducción de la dispersión cromática en un 40% .
• Valor de aplicación: sustituye las tradicionales guías de onda de vidrio de 3 capas por una solución de SiC de una sola capa,reducción del espesor en un 80% y compatibilidad con las micro pantallas Micro LED para la representación a todo color de alta resolución.

2. Coeficiente de expansión térmica ultrabajo (CTE=3.7×10−6/K)

• Avance técnico: La estructura de cristal 4H-SiC asegura la estabilidad térmica, con CTE 1/3 del vidrio, evitando la deformación y los cambios de trayectoria óptica durante el ciclo térmico.
• Valor de aplicación: Funciona de manera confiable en entornos de -20°C a 85°C, ideal para aplicaciones AR al aire libre.

3Aplanamiento de la superficie a nanoescala (Ra<0,2 nm)

• Avance técnico: Combina el pulido mecánico químico (CMP) y el grabado por plasma para eliminar el daño subterráneo, logrando una precisión de grabado de ± 5 nm.
• Valor de aplicación: alcanza una eficiencia de guía de ondas del 98%, minimizando las fugas de luz.

4. Densidad de defecto < 0,04 / cm2 (8 pulgadas)

• Descubrimiento técnico: el crecimiento avanzado de la fase líquida (TSSG) reduce la densidad de microtubos a < 0,04 / cm2 y la densidad de dislocación a < 1000 / cm2.
• Valor de aplicación: mejora el rendimiento hasta un 95%, reduciendo los costes de fabricación.

5Capacidad de producción a gran escala de 8 pulgadas.

• Avance técnico: las obleas de 8 pulgadas reducen el desperdicio de borde en un 7%, produciendo 10 ¢ 12 lentes AR por obleas.
• Valor de aplicación: Reduce el costo por lente en un 30-50%, acelerando la adopción en el mercado masivo.

6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI SiC SubstratoAplicaciones

1. Las lentes AR guían las ondas

• Función: el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas y 8 pulgadas actúa como sustrato para las guías de onda de rejilla de relieve superficial (SRG), lo que permite pantallas a todo color y de alta resolución.
• Ventaja: sustituye el vidrio de varias capas por una lente de 0,55 mm de delgado, < 2 g, con un FOV > 80°.

2. Módulos de pantalla micro LED

• Función: el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas y 8 pulgadas sirve como portador para la transferencia de masa de Micro LEDs, mejorando el brillo y el contraste.
• Ventaja: La alta conductividad térmica (490 W/m·K) resuelve los problemas de disipación de calor de Micro LED, apoyando una densidad de píxeles > 10.000 PPI.

3. Sistemas de estabilización óptica AR

• Función: Integra matrices de micromirrores MEMS para la compensación dinámica de la trayectoria de luz.
• Ventaja: la resistencia mecánica del SiC (módulo de Young 450 GPa) y la resistencia térmica (-55-300 °C) garantizan la fiabilidad.

4. Gafas inteligentes para la gestión térmica

• Función: el sustrato SiC 4H-SEMI de 6 pulgadas y 8 pulgadas proporciona soporte de disipación de calor para los chips AR (por ejemplo, SoC, controladores láser).
• Ventaja: soporta una densidad de potencia transitoria > 10 W/mm2, evitando el estrangulación térmica.

1Producción ficticia Carburo de silicio de grado de investigación de alta pureza Wafer sic transparente semidopado

2. HPSI de alta pureza Semi-aislante de las obleas de SiC 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Grado de Investigación

6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI SiC SubstratoPreguntas frecuentes