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4H-SEMI pulió sic la dureza de la lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de la oblea para el material del dispositivo
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Especificaciones
Número de modelo :
sic-6inch 4h-n
Lugar del origen :
China
MOQ :
1pcs
Plazo de expedición :
15days dentro
Detalles de empaquetado :
por el caso modificado para requisitos particulares
industria :
substrato del semiconductor
materiales :
sic cristalino
uso :
5G, material del dispositivo, MOCVD, electrónica de poder
Tipo :
4H-N, semi, ningún dopado
color :
verde, azul, blanco
hardeness :
9,0 para arriba
Descripción
6inch sic substratos, sic lingote, lingotes sic cristalinos, bloque sic cristalino, sic substratos del semiconductor, oblea del carburo de silicio 6inch, 4H-semi sic oblea, tipo del grado oblea simulada de 6inch 4H-N sic para la prueba,
1. Descripción
Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61

ne = 2,66

ningunos = 2,60

ne = 2,65
Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K
Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s
2. Describtion material del tamaño
especificación del substrato del carburo de silicio de 6 pulgadas de diámetro (sic)
Grado Grado de Z Grado de P Grado de R Grado de D
　 　 　 　
MPD CERO Producción Grado de la investigación Grado simulado
　 　 　 　
Diámetro 150mm±0.5 milímetro
Grueso 350 μm±25μm o 500±25um o por tamaño modificado para requisitos particulares
Orientación de la oblea De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N
Densidad de Micropipe ≤1cm-2 cm2s ≤5 cm2s ≤15 cm2s ≤50
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI >1E5 Ω·cm
Plano primario {10-10} ±5.0°
Longitud plana primaria 47.5mm±2.5 milímetro
Exclusión del borde 3m m
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Aspereza Ra≤1 polaco nanómetro
CMP Ra≤0.5 nanómetro
Ninguno Ninguno 1 permitida, ≤1 milímetro
Grietas por la luz de intensidad alta
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Area≤ acumulativo el 1% Area≤ acumulativo el 1% Area≤ acumulativo el 3%
Ninguno Area≤ acumulativo el 2% El area≤5% acumulativo
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta
　
3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 8 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer
Rasguños por la luz de intensidad alta
　
Microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno
Contaminación por la luz de intensidad alta Ninguno
3. productos
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FAQ:

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

A: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

Q: ¿Cómo pagar?

A: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.

Q: ¿Cuál es su MOQ?

A: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.

(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

A: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de que usted pide el contacto.

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

A: Nuestros productos estándar en existencia. como como los substratos 4inch 0.35m m.

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Detalle del producto
Número de modelo :
sic-6inch 4h-n
Lugar del origen :
China
MOQ :
1pcs
Plazo de expedición :
15days dentro
Detalles de empaquetado :
por el caso modificado para requisitos particulares
industria :
substrato del semiconductor
Proveedor de contacto
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Años
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Productos principales :
Oblea del nitruro del galio, Oblea del zafiro, Sic substrato
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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