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Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción
Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción
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Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción
Especificaciones
Número de modelo :
Oblea sic epitaxial
Lugar de origen :
China
Cantidad mínima de pedido :
25
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
1000 piezas por mes
Tiempo de entrega :
5-8weeks
Detalles del embalaje :
Paquete en la limpieza de 100 grados
Descripción

Visión general de las obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas

Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción

Perfil de la empresa:

Como proveedor líder de obleas de SiC (carburo de silicio), ZMSH se especializa en la producción, el procesamiento y la distribución global de obleas epitaxiales de alta calidad de tipo 4H-N conductoras y de grado MOS en diámetros de 2 pulgadas (50,8 mm), 3 pulgadas (76,2 mm), 4 pulgadas (100 mm) y 6 pulgadas (150 mm), con capacidades que se extienden hasta 12 pulgadas (300 mm) para las futuras demandas de la industria.

Nuestra cartera de productos incluye:

· Sustratos de SiC conductores de tipo 4H-N y 6H-N (para dispositivos de potencia)

· Obleas semi-aislantes de alta pureza (HPSI) y estándar SEMI (para aplicaciones de RF)

· Obleas de SiC de tipo 4H/6H-P y 3C-N (para necesidades especializadas de semiconductores)

· Dopaje, espesor y acabados superficiales personalizados (CMP, preparados para epi, etc.)

Con tecnología avanzada de crecimiento epitaxial CVD, un estricto control de calidad (ISO 9001) y capacidades completas de procesamiento interno, servimos a las industrias automotriz, electrónica de potencia, 5G y aeroespacial en todo el mundo.

Parámetros clave (obleas epi de tipo 4H-N de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas)

Parámetro Especificaciones
Estructura cristalina 4H-SiC (tipo N)
Diámetro 2" / 3" / 4" / 6"
Espesor epi 5-50 µm (personalizado)
Concentración de dopaje 1e15~1e19 cm⁻³
Resistividad 0.01–100 Ω·cm
Rugosidad superficial <0.2 nm (Ra)
Densidad de dislocación <1×10³ cm⁻²
TTV (Variación total del espesor) <5 µm
Alabeo <30 µm

(Todas las especificaciones personalizables: contáctenos para conocer los requisitos específicos del proyecto).

Características clave de las obleas epitaxiales de SiC 4H-N

Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción

1. Rendimiento eléctrico superior

· Banda prohibida amplia (3,2 eV) & alto voltaje de ruptura (>2 MV/cm) para dispositivos de alta potencia

· Baja resistencia en estado activo (Ron) para una conversión de energía eficiente

2. Excelentes propiedades térmicas

· Alta conductividad térmica (4,9 W/cm·K) para una mejor disipación del calor

· Estable hasta 600°C+, ideal para entornos hostiles

3. Capa epitaxial de alta calidad

· Baja densidad de defectos (<1×10³ cm⁻²) para un rendimiento fiable del dispositivo

· Espesor uniforme (±2%) y control de dopaje (±5%) para consistencia

4. Múltiples grados de obleas disponibles

· Grado conductor (para diodos, MOSFET)

· Grado MOSFET (defectos ultrabajos para transistores de alto rendimiento)​

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Aplicaciones principales de obleas epitaxiales de SiC 4H-N

Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción

1. Vehículos eléctricos (VE) y carga rápida

· MOSFET y diodos Schottky de SiC para inversores y OBC (mayor eficiencia que el Si)

2. Energía renovable y energía industrial

· Inversores solares, turbinas eólicas y redes inteligentes (menor pérdida de energía)

3. Comunicaciones 5G y RF

· Dispositivos RF GaN-on-SiC para estaciones base 5G (operación de alta frecuencia)

4. Aeroespacial y defensa

· Radar, comunicaciones por satélite y sistemas de alto voltaje (estabilidad en entornos extremos)

5. Electrónica de consumo e industrial

· Fuentes de alimentación de alta eficiencia, accionamientos de motores y sistemas UPS

Servicios de ZMSH de obleas epitaxiales de SiC 4H-N

Obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas 4H-N, grado de producción

1. Fabricación y personalización de ciclo completo

· Producción de sustratos de SiC (2" a 12")

· Crecimiento epitaxial (CVD) con dopaje controlado (tipo N/P)

· Procesamiento de obleas (laminado, pulido, marcado láser, corte)

2. Pruebas y certificación

· XRD (cristalinidad), AFM (rugosidad superficial), efecto Hall (movilidad de portadores)

· Inspección de defectos (densidad de fosas de grabado, micropipas <1>

3. Soporte de la cadena de suministro global

· Prototipado rápido y cumplimiento de pedidos al por mayor

· Consultoría técnica para el diseño de dispositivos de SiC

¿Por qué elegirnos?

✔ Integración vertical (sustrato → epitaxia → oblea terminada)

✔ Alto rendimiento y precios competitivos

✔ Soporte de I+D para dispositivos SiC de próxima generación

✔ Plazos de entrega rápidos y logística global

(Para hojas de datos, muestras o cotizaciones, ¡contáctenos hoy mismo!)

Preguntas frecuentes sobre obleas epitaxiales de SiC 4H-N

1. P: ¿Cuáles son las principales diferencias entre las obleas epitaxiales de SiC de 2 pulgadas, 4 pulgadas y 6 pulgadas?

R: Las principales diferencias están en la escalabilidad de la producción (6" permite un mayor volumen) y el costo por chip (las obleas más grandes reducen los costos de los dispositivos en ~30%).

2. P: ¿Por qué elegir 4H-SiC sobre el silicio para dispositivos de potencia?

R: 4H-SiC ofrece un voltaje de ruptura 10 veces mayor y una conductividad térmica 3 veces mejor que el silicio, lo que permite sistemas de energía más pequeños y eficientes.

Etiquetas: #2inch 3inch 4inch 6inch, #Obleas epitaxiales de SiC, #Carburo de silicio#4H-N, #Conductor, #Grado de producción, #Grado MOS

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Número de modelo :
Oblea sic epitaxial
Lugar de origen :
China
Cantidad mínima de pedido :
25
Condiciones de pago :
T/T
Capacidad de suministro :
1000 piezas por mes
Tiempo de entrega :
5-8weeks
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
9 Años
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Productos principales :
Bolsas personalizadas, Oblea del nitruro del galio, Oblea del zafiro
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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