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Máquina de grabado de haces iónicos de materiales Si/SiO2/metales
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Especificaciones
Número de modelo :
Máquina de grabado de haz de iones
Lugar de origen :
Porcelana
Cantidad mínima de pedido :
3
Términos de pago :
T/T
El tiempo de entrega :
3-6 meses
Detalles del embalaje :
Paquete en sala de limpieza de 100 grados
Material de trabajo :
Au (oro), Pt (platino), Cu (cobre)
Aplicaciones :
Fabricación de semiconductores, dispositivos ópticos
Ventaja :
Grabado de alta precisión, no selectivo
Precisión :
10 nanómetros o menos
Material de grabado :
Si/SiO2/metales
Descripción

Introducción al grabado por haz de iones

Máquina de grabado por haz de iones de materiales Si/SiO2/Metales

El grabado por haz de iones, también conocido como fresado iónico, es una tecnología de grabado en seco no selectiva y anisotrópica. Su principio fundamental implica el uso de un haz de iones de alta energía amplio y colimado generado por una fuente de iones para bombardear la superficie de la pieza de trabajo en un entorno de vacío, eliminando así el material mediante pulverización física. A diferencia del grabado por plasma, la muestra no está expuesta directamente al plasma, evitando así daños eléctricos y contaminación causados por el plasma y permitiendo un mejor control del proceso.

Máquina de grabado de haces iónicos de materiales Si/SiO2/metales

Resumen y análisis de los subsistemas clave en los sistemas de grabado por haz de iones


Un sistema de grabado por haz de iones típicamente consta de los siguientes subsistemas clave:

Subsistema

Función principal

Puntos técnicos clave e impacto

Sistema de vacío

Proporciona un entorno de alto vacío

Determina la limpieza del proceso, la estabilidad del haz y la precisión final.

Fuente de iones

Genera y extrae el haz de iones

Determina la velocidad de grabado, la uniformidad, los tipos de gas disponibles y la fiabilidad del equipo (fuente RF vs. fuente Kaufman).

Plataforma de muestra

Asegura y manipula las muestras

La función de rotación es clave para lograr el grabado anisotrópico; el control de la temperatura afecta la ventana del proceso.

Sistema de control

Control de proceso totalmente automatizado

Garantiza la repetibilidad y precisión del proceso; la detección del punto final mejora la capacidad del proceso.

Neutralizador

Neutraliza la carga del haz de iones

Evita daños por carga en materiales aislantes; esencial para el grabado de materiales dieléctricos.

Principios básicos del grabado por haz de iones

El grabado por haz de iones (IBE) es una tecnología avanzada de micro/nano fabricación que utiliza un haz de iones de alta energía para eliminar material de la superficie, lo que permite una transferencia precisa de patrones.

El principio del grabado por haz de iones implica un haz de iones de alta energía (típicamente iones de argón) generado por una fuente de iones, que bombardea la superficie del material verticalmente o en un ángulo oblicuo. Los iones de alta energía chocan con los átomos en la superficie del material, lo que provoca la expulsión de átomos y la eliminación del material capa por capa, logrando así el grabado. Este método de grabado se puede realizar sin reacciones químicas, perteneciendo a un proceso de grabado físico.

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Diagrama de estructura del equipo de grabado por haz de iones

Capacidades de procesamiento:

  • Materiales: Au (oro), Pt (platino), Cu (cobre), Ta (tantalio), AlN (nitruro de aluminio), Si (silicio), SiO₂ (dióxido de silicio) y otros materiales de película delgada.

Máquina de grabado de haces iónicos de materiales Si/SiO2/metales

Flujo del proceso:

  1. Preparación: Coloque la muestra a grabar en una cámara de vacío y limpie la superficie.
  2. Preparación de la máscara: Cubra las áreas a grabar con una máscara (por ejemplo, fotorresistente o película delgada metálica) para proteger las regiones no grabadas.
  3. Generación del haz de iones: Active la fuente de iones para generar un haz de iones de alta energía, típicamente utilizando gas argón.
  4. Proceso de grabado: Controle la energía, el ángulo y el tiempo de exposición del haz de iones para grabar la muestra.
  5. Eliminación de la máscara: Una vez completado el grabado, retire la máscara protectora para obtener la estructura final con patrones.
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Diagrama esquemático del proceso de grabado por haz de iones

Escenarios de aplicación del equipo de grabado por haz de iones

1. Fabricación de semiconductores: Se utiliza para crear circuitos y patrones finos en la fabricación de circuitos integrados.

2. Dispositivos ópticos: Se aplica en el mecanizado de precisión de componentes ópticos, como el tratamiento de superficies de rejillas y lentes.

3. Nanotecnología: Fabricación de nanoestructuras y dispositivos, como nanoporos y nanocables.

4. Ciencia de materiales: Se utiliza para estudiar las propiedades físicas y químicas de las superficies de los materiales y preparar materiales de superficie funcionales.

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Ventajas del equipo de grabado por haz de iones

1. Ventajas:

  • Alta precisión: Permite el grabado de alta precisión a nanoescala.
  • Grabado no selectivo: Capaz de grabar uniformemente varios materiales sin selectividad química.
  • Superficie lisa: Resulta en una superficie posterior al grabado lisa con rugosidad reducida.
  • Grabado isotrópico y anisotrópico: Permite el grabado en diferentes direcciones controlando el ángulo del haz de iones.

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Estudio de caso de grabado por haz de iones (IBE)

2. Materiales que se pueden grabar:

  • Metales: Oro, plata, cobre, aluminio, etc.
  • Materiales semiconductores: Silicio (Si), arseniuro de galio (GaAs), etc.
  • Materiales aislantes: Óxido de silicio (SiO₂), nitruro de silicio (Si₃N₄), etc.
  • Otros materiales: Polímeros, cerámicas, etc.

3. Precisión de grabado:

La precisión del grabado por haz de iones depende principalmente de la capacidad de enfoque del haz de iones, la resolución de la máscara y el control del tiempo de grabado. Típicamente logra una precisión de 10 nanómetros o incluso superior, dependiendo de los parámetros específicos del proceso y las condiciones del equipo.

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Equipo de grabado por haz de iones Preguntas frecuentes

​

1. P: ¿Qué es el grabado por haz de iones?
R: El grabado por haz de iones (IBE) es un proceso de grabado en seco que elimina material mediante la pulverización física de la superficie objetivo con un haz amplio y colimado de iones de alta energía en un alto vacío.

2. P: ¿Cuál es la diferencia entre el grabado por haz de iones y el grabado por iones reactivos?
R: La diferencia clave es que IBE es un proceso puramente físico donde la muestra está separada de la fuente de iones, mientras que RIE combina tanto el bombardeo físico de iones como las reacciones químicas con la muestra directamente en el plasma.


Etiqueta: #Máquina de grabado por haz de iones, #Personalizado, #Materiales Si/SiO2/Metales

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3
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Años
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Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Productos principales :
Oblea del nitruro del galio, Oblea del zafiro, Sic substrato
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
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