Wafer epitaxial SiC de 4H de 6 pulgadas 100 μm/200 μm/300 μm para dispositivo MOS de ultraalta tensión (UHV)

La oblea epitaxial 4H-SiC es un material básico para dispositivos de energía de disulfuro de carbono (SiC), fabricado en un sustrato de cristal único 4H-SiC mediante deposición química de vapor (CVD).Su estructura cristalina única y sus características eléctricas lo convierten en un sustrato ideal para el uso de alta tensión (UHV)., > 10 kV) transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFET), diodos Schottky de barrera de unión (JBS) y otros dispositivos de potencia.,200 μm, 300 μm) para aplicaciones que van desde escenarios de bajo voltaje hasta UHV, adecuados para vehículos de nueva energía (NEV), sistemas de energía industrial y tecnologías de redes inteligentes.

Características de las obleas epitaxiales de SiC

4H-SiC Aplicaciones de obleas epitaxiales

1- Dispositivos de energía de ultraalta tensión.

• Vehículos de nueva energía (NEV): Inversores de accionamiento principal y cargadores a bordo (OBC) para plataformas de 800 V, que mejoran la eficiencia en un 10­15% y permiten la carga rápida.
• Sistemas eléctricos industriales: conmutación de alta frecuencia (rango de MHz) en inversores fotovoltaicos y transformadores de estado sólido (SST), reduciendo las pérdidas en un > 30%.

2.Redes inteligentes y almacenamiento de energía

• PCS de almacenamiento de energía de formación de red para estabilización de red débil.
• Transmisión de corriente continua de alto voltaje (HVDC) y equipos de distribución inteligentes, que alcanzan una eficiencia de conversión de energía > 99%.

3.Transporte ferroviario y aeroespacial

• Inversores de tracción y sistemas de potencia auxiliares para temperaturas extremas (-60°C a 200°C) y resistencia a las vibraciones.

4Investigación y fabricación de alta tecnología

• Material básico para detectores de elementos ultrapesados (por ejemplo, Nh), que permite la detección de partículas α a altas temperaturas (300°C) con una resolución energética < 3%.

Los parámetros de las obleas epitaxiales 4H-SiC

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1P: ¿Cuál es el rango de grosor típico para las obleas epitaxiales 4H-SiC de 6 pulgadas?

R: El espesor típico oscila entre 100 ∼ 500 μm para soportar aplicaciones MOSFET de ultraalta tensión (≥ 10 kV), balanceando el voltaje de ruptura y la gestión térmica.

2P: ¿Qué industrias utilizan obleas epitaxiales 4H-SiC de 6 pulgadas?

R: Son críticos para redes inteligentes, inversores de vehículos eléctricos, sistemas de energía industrial y aeroespacial, lo que permite una alta eficiencia y fiabilidad en condiciones extremas.

Las etiquetas:6 pulgadas, #Custom, #Wafer epitaxial de 4H-SiC# Tipo 4H-N #Las mediciones de la presión de los gases de efecto invernadero se aplicarán a las mediciones de la presión de los gases de efecto invernadero.#Válvulas de alta tensión (UHV)#Dispositivo MOS, # SiC Cristal, #Substrato de carburo de silicio#100 a 500 μm