DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
Estos transistores epitaxiales del silicio de NPN se diseñan para el uso en usos del amplificador audio. El dispositivo se contiene en el paquete SOT−223, que se diseña para los usos del soporte de la superficie del poder medio.
PROPIEDADES DEL PRODUCTO
Situación del producto
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Activo
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Tipo del transistor
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NPN
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Actual - colector (Ic) (máximo)
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1 A
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Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)
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80 V
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Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic
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500mV @ 50mA, 500mA
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Actual - atajo del colector (máximo)
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100nA (ICBO)
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Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce
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100 @ 150mA, 2V
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Poder - máximo
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1,5 W
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Frecuencia - transición
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130MHz
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Temperatura de funcionamiento
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-65°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete/caso
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TO-261-4, TO-261AA
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-223 (TO-261)
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Número bajo del producto
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BCP56
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