DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
Este MOSFET se ha diseñado para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (encendido)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo
ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.
PROPIEDADES DEL PRODUCTO
Situación del producto
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Activo
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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100 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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700mA (TA)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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700mOhm @ 1.5A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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2,9 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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138 PF @ 50 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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625mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3
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Paquete/caso
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número bajo del producto
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ZXMN10
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