MOSFET del poder de JY14M N Channel Enhancement Mode para el conductor del motor de BLDC
DESCRIPCIÓN GENERAL
 El JY14M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.
 CARACTERÍSTICAS
●40V/200A, RDS (ENCENDIDO) =2.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor
 USOS
●Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor
Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad | |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 40 | V | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V | |
| Identificación | Dren continuo Actual  |  			Tc=25ºC | 200 | |
| Tc=100ºC | 130 | |||
| IDM | Corriente pulsada del dren | 720 | ||
| Paladio | Disipación de poder máxima | 210 | W | |
| TJ TSTG | Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Gama  |  			-55 a +175 | ºC | |
| RθJC | Resistencia-empalme termal a encajonar | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Resistencia-empalme termal a ambiente | 62 | 
 Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | 
| Características estáticas | ||||||
| BVDSS | Dren-fuente Voltaje de avería  |  			VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 40 | V | ||
| IDSS | Voltaje cero de la puerta Drene actual  |  			VDS =100V, VGS =0V | 1 | UA | ||
| IGSS | Salida del Puerta-cuerpo Actual  |  			=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | nA | ||
| VGS (th) | Umbral de la puerta Voltaje  |  			VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V | 
| RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente resistencia del En-estado  |  			VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =60A | 2,5 | mΩ | ||
| gFS | Delantero Transconductancia  |  			VDS =20V, IDENTIFICACIÓN =60A | 100 | S | 
 Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | 
| Características de diodo de la Dren-fuente | ||||||
| VSD | Diodo delantero Voltaje  |  			VGS =0V, DSI =100A | 1,2 | V | ||
| Trr | Tiempo de recuperación reversa | DSI =100A di/dt=100A/us  |  			38 | ns | ||
| Qrr | Carga reversa de la recuperación | 58 | nC | |||
| Características dinámicas | ||||||
| RG | Resistencia de la puerta | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ  |  			1,2 | Ω | ||
| TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | VDS =20V, RG =6Ω, Identificación =100A, VGS =10V,  |  			34 | ns | ||
| Tr | Tiempo de subida de abertura | 22 | ||||
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | 48 | ||||
| Tf | Tiempo de caída de la vuelta-apagado | 60 | ||||
| CISS | Capacitancia entrada | VGS =0V, VDS =20V, f=1.0MHz  |  			5714 | PF | ||
| COSS | Capacitancia de salida | 1460 | ||||
| CRSS | Transferencia reversa Capacitancia  |  			600 | ||||
| Qg | Carga total de la puerta | VDS =30V, IDENTIFICACIÓN =100A, VGS =10V  |  			160 | nC | ||
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | 32 | ||||
| Qgd | Carga del Puerta-dren | 58 | 
  

  
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY14M