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Soporte superficial N de JY13M 40V y conductor Ic Chip del Mosfet del poder del canal de P
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Especificaciones
Number modelo :
JY13M
MOQ :
1 sistema
Detalles de empaquetado :
CARTÓN DEL PE BAG+
Lugar del origen :
CHINA
Plazo de expedición :
5-10 días
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente :
1000sets/day
Voltaje de la Dren-fuente :
40 V
voltaje de la Puerta-fuente :
±20V
Disipación de poder máxima :
2W
Corriente pulsada del dren :
30A
Velocidad que cambia rápida :
sí
Forma :
Cuadrado
Descripción

JY13M N y MOSFET del canal 40V de P para el conductor del motor de BLDC


DESCRIPCIÓN GENERAL


El JY13M es los transistores del campo del poder del modo del aumento de la lógica del canal de N y de P
Cuál puede proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. El complementario
Los MOSFETs se pueden utilizar en H-puente, inversores y otros usos.


CARACTERÍSTICAS

Dispositivo VBR (DSS) RDS (ENCENDIDO) MAX TJ =25ºC Paquete
Canal N 40V <30mΩ@VGS=10V, ID=12A TO252-4L
<40mΩ@VGS=4.5V, ID=8A
P-canal -40V <45mΩ@VGS=-10V, ID=-12A
<66mΩ@VGS=-4.5V, ID=-8A


●Capacitancia entrada baja
●Velocidad que cambia rápida

 

Grados máximos absolutos (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro Símbolo Canal N Canal de P Unidad
Drene el voltaje de la fuente VDSS 40 -40 V
Voltaje de fuente de puerta VDSS ±20 ±20
Continuo
Drene actual		 Ta=25ºC Identificación 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Corriente pulsada del dren IDM 30 -30
Poder máximo
Disipación		 Ta=25ºC Paladio 2 W
Ta=70ºC 1,3
Empalme y almacenamiento
Gama de temperaturas		 TJ TSTG -55 a 150 ºC
Resistencia termal
Empalme a ambiente		 RθJA 10s 25 ºC/W
Constante 60
Resistencia termal
Empalme a encajonar		 RθJC 5,5 5 ºC/W


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Tipo Máximo Unidad
Parásitos atmosféricos
VGS (th) Umbral de la puerta
Voltaje		 VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Salida de la puerta
Actual		 VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 nA
P-Ch ±100
IDSS Voltaje cero de la puerta
Drene actual		 VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 UA
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFICACIÓN (ENCENDIDO) Dren del En-estado
Actual		 VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (ENCENDIDO) Dren-fuente
En-estado
Resistencia		 VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =12A N-Ch 24 30 mΩ
VGS =-10V, IDENTIFICACIÓN =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFICACIÓN =-8A P-Ch 51 66
VSD Diodo delantero
Voltaje		 ES =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
ES =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

Soporte superficial N de JY13M 40V y conductor Ic Chip del Mosfet del poder del canal de P
 

MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY13M

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Detalle del producto
Number modelo :
JY13M
MOQ :
1 sistema
Detalles de empaquetado :
CARTÓN DEL PE BAG+
Lugar del origen :
CHINA
Plazo de expedición :
5-10 días
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Paypal
Proveedor de contacto
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Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

Verified Supplier
5 Años
jiangsu, changzhou
Desde 2020
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Company
Productos principales :
Conductor Board de BLDC, Conductor IC del motor de BLDC, conductor del motor del bldc de 3 fases
Total anual :
6000000-8000000
Número de empleados :
80~120
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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