MOSFET de JY12M N And P Chennel 30V con la velocidad que cambia rápida para los usos del inversor

Descripción general

El JY12M es un tipo de transistor del campo del poder diseñado en N y modo del aumento de la lógica del canal de P. Estos transistores se fabrican usando una alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS, que permite características de excelente rendimiento. El proceso de alta densidad de la técnica de la fabricación se optimiza específicamente para minimizar la resistencia del en-estado, llevando a la eficacia aumentada.

Estos transistores de poder están particularmente bien adaptados para los usos de la baja tensión, tales como gestión del poder en teléfonos móviles, ordenadores portátiles, y otros circuitos con pilas. Sobresalen en situaciones donde están requisitos el cambiar del alto-lado y el apagón mínimo cruciales. Además, el JY12M se diseña en un paquete muy pequeño del soporte de la superficie del esquema, teniendo en cuenta la integración compacta y espacio-eficiente en sistemas electrónicos.

En resumen, los transistores del campo del poder de JY12M utilizan alta tecnología del foso de la densidad de célula DMOS, dando por resultado resistencia reducida del en-estado. Son altamente convenientes para los usos de la baja tensión, especialmente en escenarios donde están esenciales la transferencia eficiente del alto-lado y el apagón mínimo. El paquete superficial compacto del soporte más futuro aumenta sus capacidades de la flexibilidad y de la integración.

Hoja de datos: JY12M.pdf

Características

●Capacitancia entrada baja

●Velocidad que cambia rápida

Uso

●Gestión del poder

●Convertidor de DC/DC

●Control de motor de DC

●LCD TV y inversor de la exhibición del monitor

●Inversor de CCFL

PIN Configuration

Esquema del paquete SOP-9

Imágenes