JY11M

MOSFET del poder del modo del aumento del canal N

Incorporando técnicas de proceso avanzadas del foso, el JY11M logra una densidad de célula notable, una en-resistencia concurrentemente de reducción al mínimo y una jactancia de un alto grado repetidor de la avalancha. La convergencia de estas cualidades hace este diseño excepcionalmente eficiente y confiable para los usos que cambian del poder, así como para una gama diversa de otros casos del uso. Consiga más detalles hacen clic por favor aquí.

Descripción general

El JY11M es un dispositivo de semiconductor punta que incorpora técnicas de proceso avanzadas del foso. Este diseño innovador alcanza una densidad de célula notable, reduciendo con eficacia en-resistencia y alcanzando un alto grado repetidor de la avalancha. Estas características excepcionales hacen el JY11M excepcionalmente eficiente y confiable para los usos que cambian del poder, así como una gama diversa de otros casos del uso.

Con un grado del voltaje de 100V y un grado actual de 110A, el excelente rendimiento de las ofertas de JY11M. Se jacta una en-resistencia baja (el RDS (ENCENDIDO)) de 6.5mΩ en un voltaje de la puerta-fuente (VGS) de 10V, asegurando operaciones de transferencia eficientes del poder. El dispositivo también ofrece la transferencia rápida y la recuperación reversa del cuerpo, permitiendo operaciones que cambian rápidas y eficientes.

Por otra parte, el JY11M se caracteriza completamente en términos de voltaje de avalancha y actual, asegurando la operación confiable bajo condiciones extremas. Su diseño de paquete excelente facilita la disipación de calor eficaz, aumentando la confiabilidad y la longevidad totales del dispositivo.

En resumen, el JY11M es un semiconductor avanzado que combina una alta densidad de célula, una en-resistencia minimizada, y un alto grado repetidor de la avalancha. Estas calidades le toman una decisión excepcionalmente eficiente y confiable para los usos que cambian del poder, así como para los otros casos del uso donde se requiere el funcionamiento robusto.

Características

●100V/110A, RDS (ENCENDIDO) =6.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor

Usos
 

●Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor

PIN Description

Esquema del paquete To-220-3

Imágenes