Especificaciones
Número de modelo :
JY11M
MOQ :
1 set
Detalles de empaquetado :
Cartón del PE bag+
Lugar del origen :
China
Plazo de expedición :
5-10 días
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente :
1000sets/day
Voltaje de la Dren-fuente :
Las demás:
Voltaje de la Puerta-fuente :
±20V
Disipación de poder máxima :
210W
Corriente pulsada del dren :
Las demás:
Alta tensión :
- ¿ Qué?
Recuperación del cuerpo inverso :
- ¿ Qué?
Descripción

 

MOSFET del poder del modo del aumento del canal N de JY11M

 

 

DESCRIPCIÓN GENERAL


El JY11M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.


CARACTERÍSTICAS


● 100V/110A, RDS (ENCENDIDO) =6.5MΩ@VGS=10V
Transferencia rápida del ● y recuperación reversa del cuerpo
Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha del ●
Paquete excelente del ● para la buena disipación de calor


USOS
Uso de la transferencia del ●
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●
Gestión del poder del ● para los sistemas del inversor

 

Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Límite Unidad
VDS Voltaje de la Dren-fuente 100 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente ± 20 V
Identificación Dren continuo
Actual
Tc=25ºC 110 A
Tc=100ºC 82
IDM Corriente pulsada del dren 395 A
Paladio Disipación de poder máxima 210 W
TJ TSTG Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
Gama
-55 a +175 ºC
RθJC Resistencia-empalme termal al caso 0,65 ºC/W
RθJA Resistencia-empalme termal a ambiente 62

 


Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Tipo Máximo Unidad
Características estáticas
BVDSS Dren-fuente
Voltaje de avería
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA 100 V
IDSS Voltaje cero de la puerta
Drene la corriente
VDS =100V, VGS =0V 1 UA
IGSS Salida del Puerta-cuerpo
Actual
=± 20V, VDS =0V de VGS ± 100 nA
VGS (th) Umbral de la puerta
Voltaje
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA 2,0 3,0 4,0 V
RDS (ENCENDIDO) Dren-fuente
resistencia del En-estado
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =40A 6,5
gFS Delantero
Transconductancia
VDS =50V, IDENTIFICACIÓN =40A 100 S

JUYI N Canal de alta tensión BLDC motor conductor MOSFET 210W Aplicación de conmutación de energía
 



MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY11M

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MOQ :
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Detalles de empaquetado :
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Plazo de expedición :
5-10 días
Condiciones de pago :
T/T, L/C, Paypal
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JUYI N Canal de alta tensión BLDC motor conductor MOSFET 210W Aplicación de conmutación de energía
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Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

Verified Supplier
7 Años
shanghai, shanghai
Desde 2010
Tipo de empresa :
Fabricante
Total anual :
5000000-10000000
Número de empleados :
100~200
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Proveedor de contacto
Requisito de presentación