Juyi 500V/8A N MOSFET de potencia en modo de mejora de canal
Descripción general
El producto utiliza las técnicas avanzadas de procesamiento planar para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con alta repetición
Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en aplicaciones de conmutación de energía y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Características
● 500V/8A, RDS ((ON) = 0,75Ω@VGS=10V ((típico)
● Cambio rápido y recuperación del cuerpo al revés
● Excelente paquete para una buena disipación de calor
Las aplicaciones
● Iluminación
● Fuentes de alimentación de alta eficiencia en modo conmutador
Descripción del código PIN
Calificaciones máximas absolutas ((Tc=25oC a menos que se indique lo contrario)
El símbolo
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Parámetro
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Límites
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Unidad |
V.D.S.
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Voltado de la fuente de drenaje
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500
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V. |
V.GS
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Voltado de la fuente de la puerta
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± 30 |
V. |
Yo...D
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Desagüe continuo
En la actualidad
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Tc=25oC
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8 |
A. No |
Tc=100oC
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4.8 |
Yo...El DM
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Corriente de drenaje pulsado
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30 |
A. No |
PD
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Disposición máxima de energía
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80 |
No |
T.J.T.Sector de la salud
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Intervalo de temperatura de las uniones de funcionamiento y de almacenamiento
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-55 + 150
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oC |
RθJC
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Resistencia térmica-junción con el estuche
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1.56 |
°C/W
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Características eléctricas ((Tc=25oC a menos que se indique lo contrario)
Características eléctricas ((Ta=25oC a menos que se indique lo contrario)