IRFR024NTRPBF 55V 24A MOSFET de canal N con RDS de ultrabajo 0.028Ω ((on), velocidad de conmutación rápida 100% de avalancha Compacto DPAK sin plomo y compatible con RoHS
Aplicaciones
Aplicaciones de accionamiento del motor cepillado
Aplicaciones de accionamiento del motor BLDC
Circuitos alimentados por baterías
Topologías de puente medio y puente completo
Aplicaciones de rectificadores síncronos
Fuentes de alimentación en modo resonante
Interruptores de energía de operación y redundantes
Conversores de corriente continua y de corriente alterna
Inversores de corriente continua y corriente alterna
Beneficios
Puerta mejorada, Avalanche y Dynamic dV/dt
Robustez Completamente caracterizada Capacidad y Avalanche SOA
Diodo de carrocería mejorado dV/dt y dI/dt Capacidad
Sin plomo
Conforme con la Directiva RoHS, libre de halógenos
Características
Características eléctricas
MOSFET de canal N, modo de mejora
Voltado de la fuente de escape (V)El DSS): 55 V
Corriente de drenaje continua (l)D):
34A (@25°C)
23A (@100°C)
En el caso de la resistenciaD (en)):
0.0242 (típico, V)GSEl valor de las emisiones de CO2
0.0282 (max, V)GSEl valor de las emisiones de CO2
Voltado de umbral de la puerta (V)Gs(th)): 2V ~ 4V
Ventajas de la fuente de entrada (V)Gs): ±20V
Cambiar Características
Capacidad de entrada (C)- ¿ Qué?): 1100 pF (típico)
Capacidad de salida (C)Los): 300 pF (típico)
Capacidad de transferencia inversa (C)el rss): 80pF (típico)
Tiempo de retraso de encendido/apagado (t)D (en)- ¿Qué quieres decir?D (desactivado)): Nivel de nanosegundos, adecuado para conmutación de alta frecuencia
Rendimiento térmico
Disposición máxima de potencia (P)D): 48W ((@ 25°C)
Resistencia térmica (RθJA): 62°C/W (sin disipador de calor)
Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C ~ +175°C
Envase y características mecánicas
Tipo de envase: TO-252 (DPAK), montado en superficie
Conforme a la Directiva RoHS, diseño libre de plomo
Baja inductancia parasitaria, optimizada para el diseño de PCB
Información
Categoría
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El Sr.
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Serie
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Embalaje
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Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
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Estado de las partes
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Actividad
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Tipo de FET
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Tecnología
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Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
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de una potencia de 55 V
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Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
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Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)
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10 V
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Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
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El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna es el valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones.
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Vgs(th) (máximo) @ Id
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4V @ 250μA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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20 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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± 20 V
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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Se trata de un sistema de transmisión de energía.
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Característica del FET
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-
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Disposición de energía (máximo)
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45 W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55 °C ~ 175 °C (TJ)
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Grado
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Calificación
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-
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Tipo de montaje
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Montura de la superficie
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Paquete de dispositivos del proveedor
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Se trata de una serie de medidas de seguridad.
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Envase / estuche
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Número del producto de base
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Dibujo
Nuestra ventaja:
Asegúrese de satisfacer sus necesidades de todo tipo de componentes.¿Qué quieres decir?
Lista de productos
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Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en el grupo incluyen: