BSS123LT1G MOSFET de canal N, bajo RDS(on) de 170mΩ, VDS de 20V, VDS de 100V, clasificación de avalancha, ideal para conmutación de carga de baja potencia y conversión CC-CC con su encapsulado SOT-23 y protección ESD
Características
•HBM Clase 0A, MM Clase M1B (Nota 4)
•Prefijo BVSS para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; Calificado AEC−Q101 y capaz de PPAP
•Estos dispositivos no contienen Pb y cumplen con RoHS
Aplicaciones
Conmutación de carga: Controlar el encendido/apagado de secciones de un circuito.
Cambio de nivel: Convertir señales entre circuitos de diferentes dominios de voltaje (por ejemplo, convertir una señal de 3,3 V a 5 V).
Control de LED: Actuar como un interruptor para controlar los estados de encendido/apagado de los LED o para la atenuación PWM simple.
Buffer/Control de interfaz lógica: Mejorar la capacidad de control de los pines GPIO del microcontrolador para controlar cargas más grandes.
Conmutación de alta velocidad: Se utiliza en la rectificación síncrona del lado secundario en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC-CC (baja potencia).
Electrónica de consumo: Dispositivos portátiles como teléfonos móviles, tabletas, cámaras digitales.
Electrónica automotriz: Módulos de control de carrocería, interfaces de sensores, etc. (Nota: Verifique si la pieza específica está calificada por AEC; el BSS123LT1G es típicamente de grado industrial/comercial).
Descripción
1: Voltaje de umbral bajo (Vgs(th)): Típicamente entre 1,6 V y 2,1 V, lo que significa que puede ser controlado directamente por voltajes bajos (por ejemplo, 3,3 V o incluso 2,5 V
GPIO de un microcontrolador), lo que lo hace ideal para aplicaciones de nivel lógico.
2: Baja resistencia de encendido (RDS(on)): Máximo de solo 6Ω a 10V Vgs y 10Ω a 4.5V Vgs. Un RDS(on) más bajo significa menos pérdida de potencia y voltaje
caída cuando se enciende, lo que lleva a una mayor eficiencia.
3: Paquete pequeño (SOT-23): Huella muy pequeña, lo que ahorra espacio en la PCB, ideal para la electrónica compacta moderna.
4: Rendimiento de conmutación de alta velocidad: Cuenta con velocidades de conmutación rápidas, adecuadas para aplicaciones que requieren conmutación frecuente, como PWM
control.
5: Corriente de drenaje continua (Id): Hasta 170mA, adecuado para controlar cargas pequeñas como LED, pequeños relés, motores, etc.
6: Voltaje de drenaje-fuente (Vdss): Máximo de 100V, lo que permite su uso en circuitos con voltajes relativamente más altos.
INFORMACIÓN
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			 Categoría 
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			 Mfr 
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			 Serie 
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			 - 
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			 Empaquetado 
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			 Cinta y carrete (TR) 
			Cinta cortada (CT) 
			Digi-Reel® 
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			 Estado de la pieza 
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			 Activo 
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			 Tipo de FET 
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			 Tecnología 
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			 Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 
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			 100 V 
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			 Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 
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			 Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 
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			 10V 
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			 Rds On (Máx) @ Id, Vgs 
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			 6Ohm @ 100mA, 10V 
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			 Vgs(th) (Máx) @ Id 
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			 2.6V @ 1mA 
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			 Vgs (Máx) 
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			 ±20V 
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			 Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds 
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			 20 pF @ 25 V 
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			 Característica FET 
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			 - 
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			 Disipación de potencia (Máx) 
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			 225mW (Ta) 
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			 Temperatura de funcionamiento 
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			 -55°C ~ 150°C (TJ) 
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			 Grado 
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			 - 
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			 Calificación 
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			 - 
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			 Tipo de montaje 
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			 Montaje en superficie 
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			 Paquete del dispositivo del proveedor 
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			 SOT-23-3 (TO-236) 
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			 Paquete / Estuche 
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			 Número de producto base 
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Dibujo

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