CSD25404Q3T 40V NexFETTM MOSFET de canal P con 8.5mΩ RDS ((on) 50A Corriente 175°C Bajo Qg 3.3mm×3.3mm SON Paquete AEC-Q101 Diseño calificado y libre de halógenos

Características

• Qg y Qgd muy bajos

• Baja resistencia térmica

• LowRDS (se ha activado)

• Sin halógenos

• Cumplimiento de la Directiva RoHS

• Revestimiento terminal PbFree

• SON3.3mm×3.3mmPaquete de plástico

Aplicaciones

• Conversores de corriente continua a corriente continua

• Gestión de la batería

• Interruptor de carga

• Protección de la batería

Descripción

Este MOSFET de potencia NexFETTM de 20 V, 5,5 mΩ está diseñado para minimizar las pérdidas en aplicaciones de gestión de carga de conversión de potencia con un SON de 3,3 mm × 3.Envase de 3 mm que ofrece un excelente rendimiento térmico para el tamaño del dispositivo.

Información

Dibujo

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Lista de productos
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Las ofertas incluyen:
Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistor, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque terminal,Cristal y oscilador, Inductor, sensor, transformador, conductor IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (placa de circuito impreso), PCBA (ensamblaje de PCB)

Fuerte en la marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en el grupo incluyen: