SSM3K361R,LF MOSFET de N-Canal 20V 3A con RDS de 40mΩ ultrabajo ((on) SOT-23 Paquete Alta densidad de potencia Eficiencia superior Conmutación rápida y control de nivel lógico para diseños compactos

Características 

Calificado AEC-Q101 (consulte la lista de números de piezas ordenables)

175°C MOSFET

4.5 V de accionamiento

Resistencia de baja fuente de drenaje:

El valor de las emisiones de CO2 emitidas por la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica.

RDS ((ON) = 51 mΩ (típico) (@VGS = 10 V)

Aplicaciones

• Interruptores de gestión de energía

• Conversores de corriente continua

Descripción

El SSM3K361R, LFes un transistor de efecto de campo de modo de mejora N-canal (MOSFET) diseñado en un paquete de montaje superficial compacto SOT-23.Está diseñado para proporcionar una alta eficiencia y densidad de energía en un espacio mínimo de la placa, por lo que es una solución ideal para una amplia gama de aplicaciones de gestión de energía y conmutación en dispositivos electrónicos portátiles y de espacio limitado.

Información

Dibujo

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