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1 - bajo consumo de energía de la estabilidad del módulo del amplificador de potencia de 2GHz RF alto
1 - bajo consumo de energía de la estabilidad del módulo del amplificador de potencia de 2GHz RF alto
Especificaciones
Número de modelo :
VBP2GL
Lugar del origen :
China
MOQ :
1set
Condiciones de pago :
T / T, Western Union,
Capacidad de la fuente :
10000 PC por mes
Plazo de expedición :
7-15 días
Detalles de empaquetado :
embalaje neutral
Nombre del producto :
1-2GHz, banda L, amplificador de poco ruido LNA del RF
Banda de frecuencia :
Personalizado
TEMPERATURA DE TRABAJO :
-40~+70°C
Voltaje de funcionamiento :
DC +12V
Descripción

1-2GHz, banda L, amplificador de poco ruido LNA, módulo del RF del amplificador de potencia del RF

Modelo: VBP2GL

Instrucciones del módulo del amplificador de potencia de VBE RF:

Soluciones de VBE de los módulos del RF incluyendo fuente de la señal de la radiofrecuencia, el amplificador de potencia de radiofrecuencia (PA), el amplificador de poco ruido (LNA), la unidad al aire libre de la radiofrecuencia (ODU) y la solución modificada para requisitos particulares del módulo de la radiofrecuencia, la banda de la P-onda de la cubierta de la banda de frecuencia, la banda de la L-onda, la banda de la S-onda, la banda de la Ku-onda y la banda de la Ka-onda y así sucesivamente, ampliamente aplicándose en sistema de gama alta del equipo. El módulo adopta varia tecnología avanzada en el producto que diseña y satisface diverso requisito de la función y de la parametrización para la optimización del tratamiento.

Características:

1. Banda de frecuencia ancha;
2. ruido bajo de la salida;
3. bajo consumo de energía, alta linearidad;
4. proceso del micromontaje del híbrido, estabilidad tamaño pequeño, alta;
5. gama de temperaturas ancha de funcionamiento;
6. disponible por encargo

Especificaciones técnicas:

NO. Artículo Descripción Máximo típico del minuto Unidad
1 Banda de frecuencia A
B
C		 1,5 1,6
1,4 1,7
1,1 1,6		 Gigahertz
2 Aumento A elección 40 50 60 DB
3 Llanura del aumento Banda llena +/--0,5 DB
4 VSWR Entrada-salida 1.3:1
5 Temperatura de ruido 23°C 45 °K
6 poder del punto de la compresión 1dB
≥+10 dBm
7 3ro orden IMD Dual-tone-12dBm ≤-51 dBc
8 Estabilidad del aumento 24 horas +/--0,5 DB
9 Conector Entrada-salida N o SMA
10 Sobrecarga de la entrada Sobrecarga 1min 0 dBm
11 Voltaje de funcionamiento DC +12 +15 V
12 Temperatura de trabajo
-40~+70 °C

Usos:

  • Comunicación de Satallite;
  • Comunicación militar;
  • Atasco de señales de radio;
  • Contramedidas electrónicas (ECM);
  • Comunicaciones móviles;
  • Etc.
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1 - bajo consumo de energía de la estabilidad del módulo del amplificador de potencia de 2GHz RF alto

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Detalle del producto
Número de modelo :
VBP2GL
Lugar del origen :
China
MOQ :
1set
Condiciones de pago :
T / T, Western Union,
Capacidad de la fuente :
10000 PC por mes
Plazo de expedición :
7-15 días
Proveedor de contacto
1 - bajo consumo de energía de la estabilidad del módulo del amplificador de potencia de 2GHz RF alto

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier
8 Años
guangdong, shenzhen
Desde 2010
Tipo de empresa :
Fabricante
Productos principales :
La señal del teléfono celular Jammer, emisión de la señal del wifi, Emisión de la señal del PDA
Total anual :
5000000-10000000
Número de empleados :
100~150
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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