Categoría :
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores de RF bipolares
Corriente - colector (Ic) (máximo) :
35 mA
Estado del producto :
No está disponible
Tipo de transistor :
2 NPN (duales)
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición :
8GHz
paquete :
Cintas y bobinas (TR)
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :
10 V
Paquete de dispositivos del proveedor :
Se trata de la SOT-363.
Figura de ruido (dB Tipo @ f) :
1.9 dB @ 2 GHz
Potencia - máximo :
200mw
Envase / estuche :
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :
80 @ 5mA, 3V
Descripción :
La frecuencia de transmisión por radio será de 2 NPN 10V 8 GHz SOT363