Anillo protector para diodo Schottky de protección contra sobretensiones con RoHS

Ventaja

SBD tiene las ventajas de una alta frecuencia de conmutación y un voltaje directo bajo, pero su voltaje de ruptura inversa es relativamente bajo, en su mayoría no superior a 60 V, y el más alto es de solo 100 V, lo que limita su rango de aplicación.Tales como diodos de rueda libre de dispositivos de conmutación de potencia en circuitos de fuente de alimentación conmutada (SMPS) y corrección del factor de potencia (PFC), diodos rectificadores de alta frecuencia por encima de 100 V para transformadores secundarios, diodos de alta velocidad de 600 V~1,2 kV en circuitos amortiguadores RCD, y Para los diodos de 600 V utilizados en el aumento de PFC, solo se utilizan diodos epitaxiales de recuperación rápida (FRED) y diodos de recuperación ultrarrápida (UFRD).El tiempo de recuperación inversa Trr de UFRD también es superior a 20 ns, lo que no puede satisfacer las necesidades de SMPS de 1 MHz a 3 MHz en campos como las estaciones espaciales.Incluso para un SMPS con conmutación dura a 100 kHz, debido a la gran pérdida de conducción y pérdida de conmutación de UFRD, la temperatura de la carcasa es alta y se requiere un gran disipador de calor, lo que aumenta el tamaño y el peso del SMPS, que no cumple los requisitos de miniaturización y adelgazamiento.tendencia de desarrolloPor lo tanto, el desarrollo de SBD de alto voltaje por encima de 100 V siempre ha sido un tema de investigación y un foco de atención.En los últimos años, SBD ha hecho un gran progreso, se han incluido SBD de alto voltaje de 150 V y 200 V, y también se ha desarrollado con éxito el SBD de más de 1 kV hecho de nuevos materiales, inyectando así nueva vitalidad y vitalidad en su aplicación.

Características

1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS

Aplicaciones

1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación

2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES

SI (AV)	10(2×5)A
VF (máx.)	0.7V (@Tj=125°C)
tj	175 ºC
VRRM	100 V

MENSAJE DEL PRODUCTO

Modelo	Calificación	Paquete
MBR10100	MBR10100	TO-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)

Parámetro			Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje inverso máximo repetitivo			VRRM	100	V
Tensión máxima de bloqueo de CC			VCC	100	V
Corriente directa promedio	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	por dispositivo por diodo	SI (AV)	10 5	A
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC)			IFSM	120	A
Temperatura máxima de unión			tj	175	ºC
Rango de temperatura de almacenamiento			TSTG	-40~+150	ºC