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NTMFS5C604NLT3G
NTMFS5C604NLT3G
Especificaciones
Categoría :
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET :
-
Vgs(th) (máximo) @ Id :
2V @ 250μA
Temperatura de funcionamiento :
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche :
8-PowerTDFN, 5 ventajas
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :
120 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :
1.2mOhm @ 50A, 10V
Tipo de FET :
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) :
4.5V y 10V
Paquete :
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :
Las demás:
Vgs (máximo) :
± 20 V
Estado del producto :
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8900 pF @ 25 V
Tipo de montaje :
Montura de la superficie
Serie :
-
Paquete de dispositivos del proveedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
El Sr. :
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :
El valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de las categorías M1 y M2 será el valor de las emi
Disipación de poder (máxima) :
3.9W (TA), 200W (Tc)
tecnología :
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base :
NTMFS5
Descripción :
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
Descripción
Canal N 60 V 40A (TA), 287A (Tc) 3.9W (TA), 200W (Tc) soporte 5-DFN (5x6) (8-SOFL) de la superficie
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Detalle del producto
Categoría :
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET :
-
Vgs(th) (máximo) @ Id :
2V @ 250μA
Temperatura de funcionamiento :
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche :
8-PowerTDFN, 5 ventajas
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :
120 nC @ 10 V
Proveedor de contacto
NTMFS5C604NLT3G

WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED

Active Member
2 Años
hongkong
Desde 2015
Productos principales :
Microprocesador de la protección de circuito, Conector CI, IC electromecánico
Total anual :
8000000-10000000
Número de empleados :
100~200
Nivel de certificación :
Active Member
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