Waferas epitaxiales 4H-SiC para MOSFET de ultraalta tensión (100 ‰ 500 μm, 6 pulgadas) Video de China

Oblea del carburo de silicio

Sep 12, 2025

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Descripción del producto: Resumen del producto de las obleas epitaxiales de 4H-SiC El rápido desarrollo de vehículos eléctricos, redes inteligentes, energía renovable y sistemaaprender más

Waferas epitaxiales 4H-SiC para MOSFET de ultraalta tensión (100 ‰ 500 μm, 6 pulgadas)

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