Descripción general de la oblea epitaxial de SiC

Las obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas (200 mm) están emergiendo como el formato más avanzado en la industria del SiC. Representando la vanguardia de la ciencia de los materiales y la capacidad de fabricación, las obleas epitaxiales de SiC de 8” ofrecen oportunidades sin precedentes para aumentar la producción de dispositivos de potencia y, al mismo tiempo, reducir el costo por dispositivo.

A medida que la demanda de vehículos eléctricos, energía renovable y electrónica de potencia industrial continúa aumentando a nivel mundial, las obleas de 8” están permitiendo una nueva generación de MOSFET de SiC, diodos y módulos de potencia integrados con mayor rendimiento, mejor rendimiento y menores costos de fabricación.

Con propiedades de banda prohibida amplia, alta conductividad térmica y un voltaje de ruptura excepcional, las obleas de SiC de 8” están desbloqueando nuevos niveles de rendimiento y eficiencia en la electrónica de potencia avanzada.

¿Cómo se fabrican las obleas epitaxiales de SiC de 8”?

La fabricación de obleas epitaxiales de SiC de 8” requiere reactores CVD de próxima generación, un control preciso del crecimiento de cristales y tecnología de sustrato ultraplana:

1. Fabricación de sustratos
   Los sustratos monocristalinos de SiC de 8” se producen mediante técnicas de sublimación a alta temperatura y, posteriormente, se pulen a una rugosidad subnanométrica.

2. Crecimiento epitaxial CVD
   Las herramientas CVD avanzadas a gran escala operan a ~1600 °C para depositar capas epitaxiales de SiC de alta calidad sobre los sustratos de 8”, con un flujo de gas y una uniformidad de temperatura optimizados para manejar el área más grande.

3. Dopaje a medida
   Los perfiles de dopaje de tipo N o tipo P se crean con alta uniformidad en toda la oblea de 300 mm.

4. Metrología de precisión
   El control de la uniformidad, el monitoreo de defectos de cristal y la gestión del proceso in situ garantizan la consistencia desde el centro hasta el borde de la oblea.

5. Garantía de calidad integral
   Cada oblea se valida a través de:

   • AFM, Raman y XRD

   • Mapeo de defectos de oblea completa

   • Análisis de rugosidad superficial y deformación

   • Mediciones de propiedades eléctricas

Especificaciones

Aplicaciones

Las obleas epitaxiales de SiC de 8” permiten la producción en masa de dispositivos de potencia confiables en sectores como:

• Vehículos eléctricos (EV)
  Inversores de tracción, cargadores integrados y convertidores CC/CC.

• Energía renovable
  Inversores solares de cadena, convertidores de energía eólica.

• Accionamientos industriales
  Accionamientos de motor eficientes, sistemas servo.

• Infraestructura 5G / RF
  Amplificadores de potencia e interruptores de RF.

• Electrónica de consumo
  Fuentes de alimentación compactas y de alta eficiencia.

Preguntas frecuentes (FAQ)

1. ¿Cuál es el beneficio de las obleas de SiC de 8”?
Reducen significativamente el costo de producción por chip a través del aumento del área de la oblea y el rendimiento del proceso.

2. ¿Qué tan madura es la producción de SiC de 8”?
8” está entrando en producción piloto con líderes de la industria seleccionados; nuestras obleas están disponibles ahora para I+D y aumento de volumen.

3. ¿Se pueden personalizar el dopaje y el grosor?
Sí, la personalización completa del perfil de dopaje y el grosor del epi está disponible.

4. ¿Son compatibles las fábricas existentes con las obleas de SiC de 8”?
Se necesitan actualizaciones menores de los equipos para una compatibilidad total de 8”.

5. ¿Cuál es el plazo de entrega típico?
6–10 semanas para pedidos iniciales; más corto para volúmenes repetidos.

6. ¿Qué industrias adoptarán SiC de 8” más rápido?
Los sectores automotriz, de energía renovable y de infraestructura de red.

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