MachineU > Productos de China > Herramientas y ferretería > abrasivos > abrasivos
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Especificaciones
Número de modelo :
4 pulgadas - pureza elevada
Lugar del origen :
China
MOQ :
1pcs
Condiciones de pago :
T / T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
1-50pcs/month
Plazo de expedición :
1-6weeks
Detalles de empaquetado :
solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Materiales :
Tipo del solo cristal 4H-semi de la pureza sic elevada
Grado :
Maniquí/grado de /Production de la investigación
Thicnkss :
500um
Suraface :
CMP/MP
Aplicación :
dispositivo 5G
Diámetro :
100±0.3m m
Descripción

 Obleas de los substratos del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic), de los lingotes substratos sic cristalinos del semiconductor sic, de silicio del carburo de la oblea cristalina de Customzied del como-corte obleas sic

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)  

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

PROPIEDADES del solo cristal 4H-SiC

  • Parámetros del enrejado: a=3.073Å c=10.053Å
  • Amontonamiento de secuencia: ABCB
  • Dureza de Mohs: ≈9.2
  • Densidad: 3,21 g/cm3
  • Therm. Coeficiente de la extensión: 4-5×10-6/K
  • Índice de la refracción: ne= 2,66 del no= 2,61
  • Constante dieléctrica: 9,6
  • Conductividad termal: a~4.2 W/cm·K@298K
  • (N-tipo, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
  • Conductividad termal: a~4.9 W/cm·K@298K
  • C~3.9 (semiaislante) W/cm·K@298K
  • Banda-Gap: 3,23 eV Banda-Gap: eV 3,02
  • Campo eléctrico de la avería: 3-5×10 los 6V/m
  • Velocidad de deriva de la saturación: 2.0×105m/

Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G

 Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de la pureza elevada 4inch (sic)

 

4 especificaciones del substrato del carburo de silicio de la pureza elevada 4H de la pulgada de diámetro

PROPIEDAD DEL SUBSTRATO

Grado de la producción

Grado de la investigación

Grado simulado

Diámetro

100,0 milímetro +0.0/-0.5milímetros

Orientación superficial

{0001} ±0.2°

Orientación plana primaria

<11->20> ̊ del ± 5,0

Orientación plana secundaria

90,0 ̊ CW del ̊ primario del ± 5,0, silicio cara arriba

Longitud plana primaria

32,5 milímetros ±2.0 milímetro

Longitud plana secundaria

18,0 milímetros ±2.0 milímetro

Borde de la oblea

Chaflán

Densidad de Micropipe

cm2s de ≤5 micropipes/

cm2sdel ≤10micropipes/

cm2s de ≤50 micropipes/

Áreas de Polytype por la luz de alta intensidad

Ningunos permitieron

áreadel ≤el10%

Resistencia

≥1E5 Ω·cm

(área el 75%) ≥1E5 Ω·cm

Grueso

350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm

TTV

≦el10μm

μmdel ≦15

Arco (valor absoluto)

μmdel ≦25

μmdel ≦30

Deformación

μmdel ≦45

Final superficial

Polaco doble del lado, CMP de la cara del Si (pulido de la sustancia química)

Aspereza superficial

Cara Ra≤0.5 nanómetro del CMP Si

N/A

Grietas por la luz de alta intensidad

Ningunos permitieron

Microprocesadores/mellas del borde por la iluminación difusa

Ningunos permitieron

Qty.2<> anchura y profundidad de 1,0 milímetros

Qty.2<> anchura y profundidad de 1,0 milímetros

Área usable total

el ≥90%

el ≥80%

N/A

el *The otras especificaciones se puede modificar para requisitos particulares según los requisitos de cliente

 

6 pulgadas - de alto - especificaciones semiaislantes de los substratos 4H-SiC de la pureza

Propiedad

Grado de U (ultra)

Grado de P (producción)

Grado de R (investigación)

Grado (simulado) de D

Diámetro

150,0 mm±0.25 milímetro

Orientación superficial

{± 0.2° de 0001}

Orientación plana primaria

<11-20> ̊ del ± 5,0

Orientación plana secundaria

N/A

Longitud plana primaria

47,5 milímetros ±1.5 milímetro

Longitud plana secundaria

Ninguno

Borde de la oblea

Chaflán

Densidad de Micropipe

≤1 /cm2

≤5 /cm2

≤10 /cm2

≤50 /cm2

Área de Polytype por la luz de alta intensidad

Ninguno

≤ el 10%

Resistencia

≥1E7 Ω·cm

(área el 75%) ≥1E7 Ω·cm

Grueso

350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm

TTV

μmdel ≦10

Arco (valor absoluto)

μmdel ≦40

Deformación

μmdel ≦60

Final superficial

C-cara: Haber pulido óptico, Si-cara: CMP

Aspereza (10μm del ×10delμm)

Ra de la Si-cara del CMP<> 0,5 nanómetros

N/A

Grieta por la luz de alta intensidad

Ninguno

Microprocesadores/mellas del borde por la iluminación difusa

Ninguno

Qty≤2, la longitud y anchura de cada<> 1m m

Área eficaz

el ≥90%

el ≥80%

N/A


* los límites de los defectos se aplican a la superficie entera de la oblea a excepción del área de exclusión del borde. # los rasguños se deben comprobar cara del Si solamente.

 

 

Sobre sic usos de los substratos
 
 
TAMAÑO DEL CAMPO COMÚN DEL CATÁLOGO                             
 

 

Tipo 4H-N/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H

 

oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic

2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
 
 
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H

 
 Tamaño de Customzied para 2-6inch 
 

Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G

 

Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G

Ventas y servicio de atención al cliente               

Compra de los materiales

El departamento de compra de los materiales es responsable recolectar todas las materias primas necesarias para producir su producto. La rastreabilidad completa de todos los productos y materiales, incluyendo análisis químico y físico está siempre disponible.

Calidad

Durante y después de la fabricación o de trabajar a máquina de sus productos, el departamento del control de calidad está implicado en asegurarse de que todos los materiales y tolerancias resuelven o exceden su especificación.

 

Servicio

Nos enorgullecemos en tener el personal de la ingeniería de ventas con durante 5 años de experiencias en la industria del semiconductor. Se entrenan para contestar a preguntas técnicas así como para proporcionar las citas oportunas para sus necesidades.

estamos en su lado por en cualquier momento cuando usted tiene problema, y lo resolvemos en 10hours.

 

Envía tu mensaje a este proveedor
Envía ahora

Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G

Pregunta el precio más reciente
Detalle del producto
Número de modelo :
4 pulgadas - pureza elevada
Lugar del origen :
China
MOQ :
1pcs
Condiciones de pago :
T / T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
1-50pcs/month
Plazo de expedición :
1-6weeks
Proveedor de contacto
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G
Prima de la oblea del carburo de silicio de la pureza elevada/obleas del maniquí/ultra del grado 4H-Semi sic para el dispositivo 5G

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Años
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Productos principales :
substrato del zafiro, Zafiro Windows óptico, Oblea del carburo de silicio
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
Verified Supplier
Descubre productos similares
Ver más

Encuentra productos similares por categoría:

Página de inicio del proveedor Productos Oblea del carburo de silicio
MachineU Productos de China Herramientas y ferretería abrasivos abrasivos
Proveedor de contacto
Requisito de presentación