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Grueso epitaxial pulido de la oblea 1m m del carburo de silicio de 100m m SIC para el crecimiento del lingote
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Especificaciones
Number modelo :
Tamaño modificado para requisitos particulares
Lugar del origen :
CHINA
MOQ :
5PCS
Condiciones de pago :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :
1-50pcs/month
Plazo de expedición :
1-6weeks
Detalles de empaquetado :
solo paquete de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Material :
4h-N cristalino sic solo
Grado :
Grado de la producción
Thicnkss :
1.0m m
Suraface :
pulido
Uso :
cristal de semilla para el crecimiento cristalino
Diámetro :
4inch/6inch
color :
Verde
MPD :
<2cm-2>
Descripción

grueso de la oblea 1m m de la semilla de 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic para el crecimiento del lingote

De Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de los lingotes/de los substratos wafersS/Customzied del solo cristal del carburo de silicio del diámetro 150m m de la pureza elevada 4H-N 4inch 6inch (sic) del como-corte obleas del grado 4H-N 1.5m m SIC del wafersProduction 4inch sic para el cristal de semilla

Sobre cristal del carburo de silicio (sic)

 

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o both.SiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un substrato popular para crecer los dispositivos de GaN, y también sirve como esparcidor del calor en LED de altas potencias.

 

1. Descripción
Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61
ne = 2,66

ningunos = 2,60
ne = 2,65
Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

  
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Grueso epitaxial pulido de la oblea 1m m del carburo de silicio de 100m m SIC para el crecimiento del lingote

Especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro de 4H-N 4inch (sic)

   
especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic)  
Grado Grado cero de MPD Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado  
 
Diámetro 100. mm±0.2mm  
 
Grueso el 1000±25um o el otro grueso modificado para requisitos particulares 
 
Orientación de la oblea De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Densidad de Micropipe cm2s ≤0 cm2s ≤2 ≤5cm-2 cm2s ≤30  
 
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
     
 
4/6H-SI ≥1E7 Ω·cm  
 
Plano primario {10-10} ±5.0° o forma redonda 
 
Longitud plana primaria 18,5 mm±2.0 milímetro o forma redonda  
 
Longitud plana secundaria 10.0mm±2.0 milímetro  
 
Orientación plana secundaria Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero  
 
Exclusión del borde 1 milímetro  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Aspereza Ra≤1 polaco nanómetro  
 
CMP Ra≤0.5 nanómetro  
 
Grietas por la luz de intensidad alta Ninguno 1 permitida, ≤2 milímetro ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud  
 
 
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤3%  
 
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Ninguno Área acumulativa el ≤2% Área acumulativa el ≤5%  
 
 
Rasguños por la luz de intensidad alta 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer  
 
 
microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno  

 

Demostración de la exhibición de la producción

 

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CATÁLOGO   TAMAÑO COMÚN   En NUESTRA LISTA del INVENTARIO
  
 

 

4 H-N Type/oblea/lingotes de la pureza elevada sic
2 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
3 N-tipo sic oblea de la pulgada 4H
4 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H
6 N-tipo sic oblea/lingotes de la pulgada 4H

oblea de la pureza semiaislante/elevada de 4H sic

2 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
3 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
4 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
6 oblea semiaislante de la pulgada 4H sic
 
 
6H N-tipo sic oblea
2 N-tipo sic oblea/lingote de la pulgada 6H
 
 Tamaño de Customzied para 2-6inch
 
 

Sic usos

 

Áreas de aplicación

  • 1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
  • diodos, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED

>Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.

¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o casete 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados.

 

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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Años
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Productos principales :
substrato del zafiro, Zafiro Windows óptico, Oblea del carburo de silicio
Total anual :
1000000-1500000
Nivel de certificación :
Verified Supplier
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