El 4-HSemi-aislante SecoEl sustrato es un material semiconductor de alto rendimiento con una amplia gama de aplicaciones.Este sustrato presenta características eléctricas excepcionales, incluyendo alta resistividad y baja concentración de portadores, lo que lo convierte en una opción ideal para dispositivos electrónicos de radio frecuencia (RF), microondas y de potencia.
Características principales del 4-HSemi-aislante de SiCEl substrato tiene propiedades eléctricas muy uniformes, baja concentración de impurezas y una excelente estabilidad térmica.Estos atributos lo hacen adecuado para la fabricación de dispositivos de energía de RF de alta frecuencia, sensores electrónicos de alta temperatura y equipos electrónicos de microondas.Su alta resistencia al campo de descomposición y excelente conductividad térmica también lo posicionan como el sustrato preferido para dispositivos de alta potencia.
Además, el 4-HSemi-aislante SecoEl sustrato demuestra una excelente estabilidad química, lo que le permite operar en entornos corrosivos y ampliar su gama de aplicaciones.Desempeña un papel fundamental en industrias como la fabricación de semiconductores, telecomunicaciones, defensa y experimentos de física de alta energía.
En resumen, el 4-HSemi-aislante de SiCun substrato, con sus propiedades eléctricas y térmicas sobresalientes,es muy prometedor en el campo de los semiconductores y proporciona una base fiable para la producción de dispositivos electrónicos de alto rendimiento.
| Polítipo | Cristales únicos 4H | ||
| Parámetros de la red | a=3,076 A C=10,053 A |
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| Secuencia de apilamiento | El ABCB | ||
| - ¿ Qué haces? | 3.26 eV | ||
| Densidad | 3.21 10^3 kg/m^3 | ||
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5x10^-6/K | ||
| Indice de refracción | no = 2.719 n = 2.777 |
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| Constante dieléctrica | 9.6 | ||
| Conductividad térmica | 490 W/mK | ||
| Campo eléctrico de ruptura | Entre 2 y 108 V/m | ||
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 105 m/s | ||
| Movilidad de los electrones | 800 cm^2NS | ||
| agujero Movilidad | 115 cm^2N·S | ||
| Dureza de Mohs | 9 |
4H Semi-aislante de SiCes un material versátil que se utiliza en diversas aplicaciones de alto rendimiento debido a sus excepcionales propiedades eléctricas, térmicas y físicas.


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