Especificaciones
Número de modelo :
IXFN38N100Q2
Lugar de origen :
Estados Unidos
Cantidad mínima de pedido :
1 piezas
Condiciones de pago :
T/T, Western Union
Capacidad de suministro :
1500pcs
Tiempo de entrega :
1 día
Detalles del embalaje :
el tubo
Descripción :
IXFN38N100Q2 módulos de semiconductores discretos 38 Amperios 1000V 0,25 Rds
Las existencias :
100 PCS
Código de fecha :
Código más reciente
Envío por :
DHL/UPS/Fedex
Condición :
Nuevo*Original
Garantización :
365 días
Sin plomo :
Conforme a las normas de Rohs
Tiempos de entrega :
Envío inmediato
Descripción

IXFN38N100Q2 módulos de semiconductores discretos 38 Amperios 1000V 0,25 Rds

IXFN38N100Q2 módulos de semiconductores discretos 38 Amperios 1000V 0,25 Rds

IXYS
Categoría de producto: Modulos de semiconductores discretos
La norma RoHS: Detalles
Módulos MOSFET de potencia
Sí, sí.
- 30 V, más 30 V
Montura del chasis
Se trata de la SOT-227-4
- 55 C
+ 150 °C
El número de unidades de seguridad de la aeronave
El tubo
Marca: IXYS
Configuración: No casado
Tiempo de caída: 15 ns
Alturas: 9.6 mm
Id - Corriente de drenaje continua: 38 A
Duración: 38.23 mm
Número de canales: 1 Canal
Pd - Disposición de energía: 890 W
Tipo de producto: Modulos de semiconductores discretos
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: 250 mOhms
Tiempo de ascenso: 28 ns
Subcategoría: Modulos de semiconductores discretos
Nombre comercial: HIPERFET
Polaridad del transistor: N-canal
Tiempo de retraso típico de apagado: 57 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 25 ns
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 1 kV
Ancho: 25.42 mm
Peso unitario: 1.058219 onzas

IXFN38N100Q2 módulos de semiconductores discretos 38 Amperios 1000V 0,25 Rds

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La tecnología Wisdtech Co., Ltd.
Telefono: +86-755-23606019
Dirección: habitación 1205-1207, edificio Nanguang, calle Huafu,
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- ¿ Qué pasa?
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Tiempo de entrega :
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