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FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
Especificaciones
Número de modelo :
FQA11N90C
Lugar de origen :
China.
Tipo de transistor: :
1 canal N
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: :
- 30 V, + 30 V
Descripción
Atributo del producto Valor del atributo
El fabricante: en semi
Categoría de producto: MOSFET
La norma RoHS: Detalles
Tecnología: Sí, sí.
Estilo de montaje: A través del agujero
Embalaje / estuche: Se trata de la siguiente información:
Polaridad del transistor: N-canal
Número de canales: 1 Canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: Las demás:
Id - Corriente de drenaje continua: 11 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: 1.4 ohmios
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta: - 30 V, más 30 V
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 °C
Pd - Disposición de energía: 300 W
Modo de canal: Mejoramiento
Embalaje: El tubo
Marca: en semi / Fairchild
Configuración: No casado
Tiempo de caída: 85 ns
Transconductividad hacia adelante - Min: 9 S
Alturas: 20.1 mm
Duración: 16.2 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de ascenso: 130 ns
Envasado de fábrica 30
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo de vehículo: MOSFET
Tiempo de retraso típico de apagado: 130 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 60 ns
Ancho: 5 mm
Parte # Alias: FQA11N90C_NL
Peso unitario: 0.162260 onzas
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FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C

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Detalle del producto
Número de modelo :
FQA11N90C
Lugar de origen :
China.
Tipo de transistor: :
1 canal N
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: :
- 30 V, + 30 V
Proveedor de contacto
FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C

Wisdtech Technology Co.,Limited

Active Member
2 Años
guangdong, shenzhen
Productos principales :
circuitos integrados ics, Transistores de RF, Optoelectrónica
Número de empleados :
>100
Nivel de certificación :
Active Member
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