Especificaciones
Número de modelo :
ESR25F4WR003F04G
Lugar de origen :
Hecho en china
Cantidad mínima de pedido :
4000
Condiciones de pago :
T/T
El tiempo de entrega :
3-5 días laborables
Nombre :
Resistencia de derivación de corriente
fabricante :
elon
Serie :
ESR
Tamaño :
2512
Rango de resistencia :
3 mΩ (0,003 ohmios)
Tolerancia :
±1%
Clasificación de potencia :
4W
rango de temperatura de funcionamiento :
-55°C a +175°C
Coeficiente de temperatura :
±50 ppm/°C
Material :
Fecral
Por carrete :
4000
Características :
Alta potencia, baja temperatura
Aplicaciones :
Detección de corriente, fuentes de alimentación, control de motores, gestión de baterías
Descripción
Resistencia de chip shunt de metal 2512 de 0.003Ω (3m Ohm) 4W con material FeCrAl, diseño de baja ESR y baja inductancia
Introducción técnica completa
La ESR25F4WR003F04G es una resistencia de chip shunt de metal de alto rendimiento diseñada para la detección precisa de corriente y aplicaciones de gestión de energía. Con su resistencia ultra baja de 0.003Ω y una potencia nominal de 4W, este componente ofrece una fiabilidad excepcional en circuitos electrónicos exigentes.
Especificaciones principales
Parámetro Especificación
Valor de resistencia 0.003Ω (3mΩ)
Tolerancia ±1%
Potencia nominal 4W
Tamaño del paquete 2512 (6.35mm * 3.15mm)
Coeficiente de temperatura (TCR) ±50 ppm/°C
Material de resistencia Aleación de cobre-manganeso (FeCrAl)
Temperatura de funcionamiento -55°C a +175°C
Ventajas del material
La aleación FeCrAl proporciona:
  • Estabilidad superior a altas temperaturas y resistencia a la oxidación
  • Cambio de resistencia mínimo a través de variaciones de temperatura (±50 ppm/°C TCR)
  • Excepcional estabilidad a largo plazo bajo estrés eléctrico/térmico continuo
Características clave de rendimiento
  • Baja ESR: La naturaleza puramente resistiva asegura una pérdida de energía mínima
  • Resistencia a sobretensiones: Maneja picos de corriente de alta energía sin fallas
  • Diseño de baja inductancia: Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia
  • Cumplimiento ambiental: Cumple con RoHS y REACH, construcción sin plomo
Aplicaciones principales
  • Unidades de fuente de alimentación (protección contra sobrecorriente y monitorización de corriente)
  • Electrónica automotriz (BMS, inversores, dirección asistida)
  • Accionamientos y controles de motores industriales
  • Inversores solares y sistemas de almacenamiento de energía
  • Cargadores de batería de alta corriente y equipos de prueba
Conclusión
La ESR25F4WR003F04G resistencia de chip shunt de metal combina precisión, manejo de potencia y fiabilidad para aplicaciones exigentes de detección de corriente. Su construcción de aleación FeCrAl, su potencia nominal de 4W y su diseño robusto la hacen ideal para sistemas electrónicos de alto rendimiento que requieren una medición precisa de la corriente y durabilidad.
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Resistencia de derivación de corriente de baja ESR, 4W, resistencia de derivación de chip, 3 mOhm, ESR25F4WR003F04G

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Número de modelo :
ESR25F4WR003F04G
Lugar de origen :
Hecho en china
Cantidad mínima de pedido :
4000
Condiciones de pago :
T/T
El tiempo de entrega :
3-5 días laborables
Nombre :
Resistencia de derivación de corriente
Proveedor de contacto
Resistencia de derivación de corriente de baja ESR, 4W, resistencia de derivación de chip, 3 mOhm, ESR25F4WR003F04G
Resistencia de derivación de corriente de baja ESR, 4W, resistencia de derivación de chip, 3 mOhm, ESR25F4WR003F04G

Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2012
Número de empleados :
100~120
Nivel de certificación :
Active Member
Proveedor de contacto
Requisito de presentación