Diseñada para aplicaciones electrónicas exigentes que requieren eficiencia, precisión y fiabilidad, la resistencia de potencia HTE2512M3W0R030F destaca en la detección de corriente, la división de voltaje y las aplicaciones de absorción de pulsos. Este dispositivo de montaje en superficie ofrece un rendimiento excepcional en sistemas avanzados de gestión y control de energía.
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Número de Parte | HTE2512M3W0R030F |
| Valor de Resistencia | 0.03Ω (30mΩ) |
| Tolerancia | ±1% |
| Potencia Nominal | 3W |
| Tamaño del Paquete | 1225 (6.4mm * 3.2mm) |
| Coeficiente de Temperatura (TCR) | ±50 ppm/°C |
| Material de Resistencia | Aleación de Cobre Manganeso (MnCu) |
| Temperatura de Funcionamiento | -55°C a +155°C |
Fabricado en cumplimiento con las regulaciones RoHS y REACH, utilizando procesos de soldadura sin plomo (Pb-free) para la compatibilidad con el mercado global.
El HTE2512M3W0R030F combina un alto manejo de potencia con una estabilidad y precisión excepcionales. Su construcción de aleación de cobre-manganeso asegura una variación mínima de la resistencia a través de la temperatura, mientras que el diseño de baja inductancia mantiene la integridad de la señal en aplicaciones de alta frecuencia.