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Resistencia de terminal ancho de ultra baja resistencia para aplicaciones de estación base 5G
Resistencia de terminal ancho de ultra baja resistencia para aplicaciones de estación base 5G
Resistencia de terminal ancho de ultra baja resistencia para aplicaciones de estación base 5G
Resistencia de terminal ancho de ultra baja resistencia para aplicaciones de estación base 5G
Especificaciones
Número de modelo :
HTE2512M3W0R009F
Lugar de origen :
Hecho en china
Cantidad mínima de pedido :
4000
Condiciones de pago :
T/T
El tiempo de entrega :
3-5 días laborables
fabricante :
Walter
Serie :
HTE
Tamaño :
1225 (6,4 mm x 3,2 mm)
Rango de resistencia :
9m ohmios (0,009 ohmios)
Tolerancia :
±1%
Clasificación de potencia :
3W
rango de temperatura de funcionamiento :
-55 °C a +155 °C
Coeficiente de temperatura :
±100 ppm/°C
Material :
aleación de MnCu
Por carrete :
4000
Características :
Alta precisión, alta potencia, billete de baja temperatura, baja inductancia
Aplicaciones :
Detección de corriente, fuente de alimentación, control de motores, gestión de baterías, convertidor
Descripción
Resistencia terminal de ancho ultrabajo de ohmios con tamaño 1225 para aplicaciones de estaciones base 5G
En aplicaciones electrónicas exigentes que requieren eficiencia, precisión y confiabilidad, la resistencia de potencia HTE2512M3W0R009F de la serie HTE ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de alta corriente y alta precisión.
Especificaciones principales
El código de producto HTE2512M3W0R009F revela especificaciones técnicas clave:
  • 1225/HTE2512:Paquete de chip 2512 estándar de la industria (6,4 mm x 3,2 mm) para una disipación de calor efectiva
  • 0,009 Ω (9 m ohmios):Resistencia ultrabaja para una caída de voltaje mínima en aplicaciones de detección de corriente
  • Clasificación de potencia de 3W:Alta capacidad de disipación de potencia para entornos con gran densidad de energía
  • 1% Tolerancia:Alta precisión de fabricación para una medición precisa y control de corriente
Especificaciones técnicas
Parámetro Especificación
Número de pieza HTE2512M3W0R009F
Valor de resistencia 0,009Ω (9mΩ)
Tolerancia ±1%
Clasificación de potencia 3W
Tamaño del paquete 1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Coeficiente de temperatura (TCR) ±100 ppm/°C
Material de resistencia Aleación de manganeso y cobre (MnCu)
Temperatura de funcionamiento -55°C a +125°C
Ventajas del material: aleación de manganina (MnCu)
El HTE2512M3W0R009F utiliza una aleación de manganina para un rendimiento superior:
  • Coeficiente de resistencia a baja temperatura (TCR) para un rendimiento estable en todos los rangos de temperatura
  • EMF termoeléctrico bajo frente al cobre para una detección precisa de corriente CC
  • Excelente estabilidad a largo plazo y resistencia a la oxidación.
Funciones de rendimiento avanzadas
  • Diseño de baja inductancia para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia
  • Gestión térmica eficiente para un funcionamiento estable de 3 W
  • La construcción robusta evita los puntos calientes
Aplicaciones típicas
  • Detección de corriente de precisión en unidades de control de motores y convertidores CC-CC
  • Circuitos de protección contra sobrecorriente en fuentes de alimentación.
  • Sistemas de gestión de baterías para vehículos eléctricos.
  • Amplificador de potencia y equipo de audio.
Cumplimiento y calidad
El HTE2512M3W0R009F cumple con las regulaciones RoHS y REACH, utilizando materiales y procesos sin plomo para estándares ambientales globales.
Esta resistencia diseñada con precisión combina una resistencia ultrabaja, un manejo de alta potencia y una estabilidad excepcional para aplicaciones exigentes de alta corriente donde la precisión y la confiabilidad son fundamentales.
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Resistencia de terminal ancho de ultra baja resistencia para aplicaciones de estación base 5G

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Detalle del producto
Número de modelo :
HTE2512M3W0R009F
Lugar de origen :
Hecho en china
Cantidad mínima de pedido :
4000
Condiciones de pago :
T/T
El tiempo de entrega :
3-5 días laborables
fabricante :
Walter
Proveedor de contacto
Resistencia de terminal ancho de ultra baja resistencia para aplicaciones de estación base 5G
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Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Años
shenzhen
Desde 2012
Productos principales :
Resistencia de derivación de corriente, Resistencia de chip de detección de corriente, Resistencia de terminal ancha
Número de empleados :
100~120
Nivel de certificación :
Active Member
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